El sputtering de magnetrón se inventó en los años 70, concretamente en 1974, con la invención de la fuente de sputtering de magnetrón planar por John S. Chapin.
Esta técnica revolucionó el campo de la deposición de películas finas al ofrecer mayores velocidades de deposición y menores daños a los sustratos en comparación con métodos anteriores como el sputtering por diodos.
5 puntos clave para entender el avance
1. Desarrollo e invención
El concepto de sputtering se remonta a 1852, pero se utilizaba principalmente para depositar películas metálicas refractarias que no podían obtenerse mediante evaporación térmica.
La evolución de la tecnología de sputtering vio la introducción del sputtering por radiofrecuencia (RF), que amplió su aplicación para incluir películas dieléctricas.
Sin embargo, el verdadero avance se produjo con la invención del sputtering por magnetrón en la década de 1970.
2. Técnica de pulverización catódica por magnetrón
El sputtering por magnetrón se caracteriza por la adición de un campo magnético cerrado sobre la superficie del blanco.
Este campo magnético mejora la eficiencia de la generación de plasma al aumentar la probabilidad de colisiones entre electrones y átomos de argón cerca de la superficie del blanco.
La trampa magnética establecida por este campo conduce a una cascada de generación de electrones secundarios, que aumenta aún más la producción y densidad del plasma.
El resultado es una mayor tasa de sputtering y temperaturas más bajas, lo que lo convierte en un método superior en comparación con el sputtering por diodos.
3. Impacto y comercialización
La introducción del sputtering por magnetrón en 1974 supuso un avance significativo en el campo de los métodos de revestimiento al vacío.
No sólo ofrecía una mayor velocidad de deposición, sino que también reducía los daños en los sustratos.
La técnica obtuvo éxito comercial en industrias como la microelectrónica y el vidrio arquitectónico en las décadas de 1960 y 1970.
Hoy en día, las fuentes de pulverización catódica por magnetrón están disponibles comercialmente en varias configuraciones, incluyendo formas circulares, rectangulares y tubulares, y se han adaptado para aplicaciones específicas a través de enfoques de campo magnético de ingeniería.
4. Conclusión
La invención del sputtering magnetrónico en 1974 por John S. Chapin mejoró significativamente la eficiencia y aplicabilidad de los procesos de sputtering, convirtiéndola en una tecnología fundamental en la deposición de películas finas en diversas industrias.
Su desarrollo fue una respuesta a las limitaciones de los métodos de sputtering anteriores, sobre todo en términos de velocidad y daños al sustrato, y desde entonces se ha convertido en una tecnología ampliamente adoptada y en continua evolución.
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