El tipo de sistema de sputtering utilizado para depositar la película fina de ZnO puede serSputtering de magnetrón con sputtering reactivo. Este método implica el uso de un material objetivo sólido, normalmente zinc, en combinación con un gas reactivo, como el oxígeno, para formar óxido de zinc (ZnO) como película depositada.
El magnetrón se elige por su capacidad para producir películas finas homogéneas, consistentes y de gran pureza. Se trata de un método de deposición física en el que el material objetivo (zinc) se sublima debido al bombardeo de iones, lo que permite que el material se evapore directamente desde el estado sólido sin fundirse. Este método garantiza una excelente adherencia al sustrato y puede tratar una amplia gama de materiales.
Pulverización catódica reactiva se incorpora introduciendo un gas reactivo (oxígeno) en la cámara de sputtering. Este gas reacciona con los átomos de zinc bombardeados, ya sea en la superficie del blanco, en vuelo, o en el sustrato, formando óxido de zinc. El uso del sputtering reactivo permite la deposición de materiales compuestos como el ZnO, que no puede conseguirse únicamente con cátodos elementales.
La configuración del sistema para un proceso de deposición de este tipo puede incluir opciones como estaciones de precalentamiento del sustrato, capacidad de grabado por pulverización catódica o fuente de iones para la limpieza in situ, capacidad de polarización del sustrato y, posiblemente, múltiples cátodos. Estas características mejoran la calidad y uniformidad de la película de ZnO depositada, garantizando que cumpla las especificaciones deseadas para diversas aplicaciones.
A pesar de las ventajas, es necesario afrontar retos como el control de la estequiometría y los resultados no deseados del sputtering reactivo. La complejidad del proceso, debida a los numerosos parámetros que intervienen, exige un control experto para optimizar el crecimiento y la microestructura de la película de ZnO.
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