El proceso CVD de carburo de silicio consiste en depositar capas de carburo de silicio sobre un sustrato mediante reacciones químicas en fase gaseosa.
Este proceso es conocido por producir capas de carburo de silicio de alta calidad, puras y uniformes.
Estas capas son cruciales para diversas aplicaciones industriales debido a sus propiedades únicas.
El carburo de silicio tiene baja densidad, alta rigidez, extrema dureza y excelente resistencia al desgaste.
¿En qué consiste el proceso CVD del carburo de silicio? Explicación de los 4 pasos clave
1. Preparación del sustrato
El sustrato, a menudo silicio, se limpia y se prepara utilizando polvo abrasivo de diamante.
Esto garantiza una superficie limpia para el proceso de deposición.
El silicio se utiliza habitualmente porque se alinea bien con la orientación cristalográfica requerida.
2. Introducción del gas
El metano de alta pureza se mezcla con hidrógeno de pureza ultra alta (UHP) en una proporción de 1:99.
Esta mezcla se introduce en el reactor.
El metano proporciona la fuente de carbono necesaria, mientras que el hidrógeno ayuda en las reacciones químicas y mantiene la pureza del proceso.
3. Energización y deposición
Los gases se energizan calentando el sustrato a unos 800 °C. Esto inicia las reacciones químicas necesarias para la deposición.
Esto inicia las reacciones químicas necesarias para la deposición del carburo de silicio.
Este paso es fundamental para la calidad y las propiedades de la capa de carburo de silicio depositada.
4. Crecimiento y formación
Los gases energizados se descomponen a altas temperaturas.
Esto provoca reacciones químicas en la superficie del sustrato, formando una película cristalina sólida de carburo de silicio.
El proceso continúa hasta que se alcanzan el espesor y la uniformidad deseados.
A continuación, el producto sólido se separa del sustrato y se introduce continuamente el gas de reacción para permitir el crecimiento de la película cristalina.
Este proceso de CVD permite producir carburo de silicio con una resistencia eléctrica muy baja.
Es adecuado para aplicaciones que requieren características finas y relaciones de aspecto elevadas, como en dispositivos electrónicos y MEMS.
La precisión y el control que ofrece el método CVD lo convierten en la opción preferida para fabricar componentes de carburo de silicio de alta calidad.
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