La temperatura para el crecimiento del grafeno puede ser tan baja como 725 °C, como demuestra el proceso de enfriamiento de una fina película de Ni de 900 °C a 725 °C, que dio lugar a la formación de 1,7 capas de grafeno en la superficie de la película. Esta temperatura es significativamente inferior a las temperaturas típicas de descomposición pirolítica, que requieren más de 1000 °C. El uso de sustratos catalizadores metálicos en el proceso de deposición química en fase vapor (CVD) ayuda a reducir la temperatura de reacción, lo que facilita la descomposición de los precursores de carbono y la formación de grafeno.
El proceso implica la adsorción de precursores de carbono en la superficie del catalizador, seguida de su descomposición en varias especies de carbono que sirven como bloques de construcción para el crecimiento del grafeno. Este método es especialmente eficaz en sistemas CVD de baja presión, en los que incluso presiones parciales muy bajas pueden favorecer la nucleación y el crecimiento del grafeno debido a la presencia de contaminación por petróleo y gas.
Además, el uso de precursores de carbono líquidos o sólidos como el benceno y el naftaleno puede facilitar el crecimiento a baja temperatura debido a su facilidad de descomposición en comparación con el metano. Sin embargo, estos precursores también pueden adsorberse a las paredes interiores de las cámaras y tuberías del sistema, lo que puede provocar problemas de contaminación que afecten a la fiabilidad del sistema y a la repetibilidad de la producción.
En resumen, aunque el crecimiento del grafeno requiere tradicionalmente altas temperaturas, los avances en el CVD asistido por catalizador y el uso de precursores de carbono específicos han permitido la síntesis de grafeno a temperaturas significativamente más bajas, de hasta 725 ºC. Este avance es crucial para reducir los costes energéticos y mejorar la viabilidad de la producción de grafeno para diversas aplicaciones.
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