La deposición por pulverización catódica es un método popular para crear películas finas, pero suele ser más lento que la deposición por evaporación.
¿Por qué la deposición por pulverización catódica es más lenta que la deposición por evaporación? Explicación de 4 razones clave
1. 1. Daño al sustrato inducido por plasma
El sputtering utiliza un plasma que genera átomos a alta velocidad que bombardean el sustrato.
Este bombardeo puede dañar el sustrato y ralentizar el proceso de deposición.
Por el contrario, la deposición por evaporación implica la evaporación de átomos desde una fuente, lo que normalmente da lugar a un menor número de átomos de alta velocidad.
2. Introducción de impurezas
El sputtering funciona en un intervalo de vacío menor que la deposición por evaporación, lo que puede introducir impurezas en el sustrato.
El plasma utilizado en el sputtering tiene una mayor tendencia a introducir impurezas en comparación con las condiciones de mayor vacío utilizadas en la deposición por evaporación.
3. Temperatura y velocidad de deposición más bajas
El sputtering se realiza a una temperatura más baja que la evaporación por haz electrónico, lo que afecta a la velocidad de deposición.
La velocidad de deposición del sputtering es menor, especialmente en el caso de los dieléctricos.
Sin embargo, el sputtering proporciona una mejor cobertura de recubrimiento para sustratos más complejos y es capaz de producir películas finas de alta pureza.
4. Control limitado del espesor de la película
La deposición por pulverización catódica permite altas velocidades de deposición sin limitaciones de espesor, pero no permite un control preciso del espesor de la película.
Por otro lado, la deposición por evaporación permite un mejor control del espesor de la película.
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