Tanto el sputtering DC como el sputtering magnetrón DC son técnicas utilizadas para la deposición de películas finas. La principal diferencia entre estas dos técnicas radica en el tipo de voltaje aplicado al material objetivo.
En el sputtering DC, se aplica una tensión constante al material objetivo. Esta técnica es la preferida para materiales conductores debido a su bajo coste y alto nivel de control. El sputtering DC implica el uso de ánodos y cátodos para generar un entorno de plasma, junto con el uso de gases inertes y una potencia de sputtering optimizada. Permite altas velocidades de deposición y un control preciso del proceso de deposición.
Por otro lado, el sputtering por magnetrón de corriente continua utiliza una cámara de vacío que contiene el material objetivo en paralelo al sustrato objetivo. Es similar al sputtering DC en cuanto a la tensión constante aplicada al blanco. Sin embargo, el uso de un magnetrón en el sputtering por magnetrón DC permite una descarga de plasma más eficaz y concentrada. El resultado es una mayor velocidad de sputtering y una mejor calidad de la película en comparación con el sputtering DC tradicional.
Una ventaja notable del sputtering por magnetrón de corriente continua es su capacidad para depositar estructuras multicapa. Esto puede conseguirse utilizando múltiples blancos o rotando el sustrato entre diferentes blancos durante el proceso de deposición. Mediante el control de los parámetros de deposición y la selección de blancos, pueden crearse películas multicapa complejas con propiedades a medida para aplicaciones específicas, como revestimientos ópticos o dispositivos electrónicos avanzados.
En general, la elección entre el sputtering DC y el sputtering magnetrón DC depende de los requisitos específicos del proceso de deposición de la película fina. El sputtering DC es más adecuado para materiales conductores, mientras que el sputtering magnetrón DC ofrece una mayor eficacia y la posibilidad de depositar estructuras multicapa.
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