La deposición química en fase vapor (CVD) suele utilizar metales como el silicio, el tungsteno y el titanio en sus procesos. Estos metales se utilizan en diversas formas, como óxidos, carburos, nitruros y otros compuestos.
Silicio: El silicio es un metal clave utilizado en CVD, a menudo en formas como el dióxido de silicio (SiO2), el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de silicio (Si3N4). El dióxido de silicio se utiliza con frecuencia en la fabricación de semiconductores debido a sus excelentes propiedades aislantes y suele depositarse mediante deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD). El carburo de silicio y el nitruro de silicio se utilizan por su dureza y estabilidad térmica, lo que los hace adecuados para diversas aplicaciones industriales.
Tungsteno: El tungsteno es otro metal utilizado en los procesos CVD, sobre todo en la industria de semiconductores para hacer contactos e interconexiones debido a su alto punto de fusión y baja resistividad. El CVD de tungsteno implica el uso de hexafluoruro de tungsteno (WF6) como precursor, que reacciona con hidrógeno para depositar tungsteno en el sustrato.
Nitruro de titanio: El nitruro de titanio (TiN) se utiliza en CVD por sus propiedades como material duro y buen conductor eléctrico. Suele utilizarse como barrera de difusión en dispositivos semiconductores y como revestimiento de herramientas para aumentar su durabilidad y resistencia al desgaste.
Estos metales y sus compuestos se seleccionan para el CVD por sus propiedades específicas, que los hacen adecuados para diversas aplicaciones en electrónica, óptica y otras industrias de alta tecnología. El proceso CVD permite un control preciso de la deposición de estos materiales, garantizando revestimientos y películas uniformes y de alta calidad.
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