La deposición química en fase vapor (CVD) es un proceso que suele utilizar metales como el silicio, el tungsteno y el titanio.
Estos metales se utilizan en diversas formas, como sus óxidos, carburos, nitruros y otros compuestos.
Explicación de 3 metales clave
1. Silicio
El silicio es un metal clave utilizado en CVD.
Suele utilizarse en formas como el dióxido de silicio (SiO2), el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de silicio (Si3N4).
El dióxido de silicio se utiliza con frecuencia en la fabricación de semiconductores debido a sus excelentes propiedades aislantes.
Suele depositarse mediante deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD).
El carburo de silicio y el nitruro de silicio se utilizan por su dureza y estabilidad térmica, lo que los hace adecuados para diversas aplicaciones industriales.
2. Tungsteno
El wolframio es otro metal utilizado en los procesos CVD.
Se utiliza especialmente en la industria de semiconductores para hacer contactos e interconexiones debido a su alto punto de fusión y baja resistividad.
El CVD de wolframio implica el uso de hexafluoruro de wolframio (WF6) como precursor.
Éste reacciona con el hidrógeno para depositar el tungsteno sobre el sustrato.
3. Nitruro de titanio
El nitruro de titanio (TiN) se utiliza en CVD por sus propiedades como material duro y buen conductor eléctrico.
Suele utilizarse como barrera de difusión en dispositivos semiconductores.
El nitruro de titanio también se utiliza como recubrimiento de herramientas para aumentar su durabilidad y resistencia al desgaste.
Estos metales y sus compuestos se seleccionan para CVD debido a sus propiedades específicas que los hacen adecuados para diversas aplicaciones en electrónica, óptica y otras industrias de alta tecnología.
El proceso CVD permite un control preciso de la deposición de estos materiales, garantizando revestimientos y películas uniformes y de alta calidad.
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