LPCVD son las siglas en inglés de Deposición Química en Fase Vapor a Baja Presión. Es una técnica utilizada en la industria de semiconductores para depositar películas finas de diversos materiales sobre un sustrato. El proceso implica el uso de gases reactivos a bajas presiones, normalmente inferiores a 133 Pa, y se realiza en un entorno de alta temperatura. Este método permite obtener una excelente uniformidad de la película, uniformidad de la resistividad y capacidad de relleno de la cobertura de la zanja debido al mayor coeficiente de difusión del gas y al rango libre medio dentro de la cámara de reacción. El LPCVD se utiliza ampliamente para depositar materiales como polisilicio, nitruro de silicio y dióxido de silicio, entre otros, y se ve favorecido por su capacidad para producir películas con menos defectos y mayor cobertura de pasos en comparación con las películas cultivadas térmicamente. El proceso también destaca por su precisión en el control de la temperatura, que contribuye a la gran uniformidad de las películas depositadas en diferentes obleas y series.
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