El sputtering es un método utilizado para crear películas finas y es un tipo de deposición física de vapor (PVD). A diferencia de otros métodos de deposición de vapor, el material no se funde. En su lugar, los átomos del material fuente (blanco) son expulsados por transferencia de momento desde una partícula bombardeadora, normalmente un ion gaseoso. Este proceso permite la deposición de películas finas con excelente uniformidad, densidad, pureza y adherencia. El sputtering puede realizarse de abajo arriba o de arriba abajo, y es especialmente ventajoso para materiales con puntos de fusión muy elevados.
El proceso de pulverización catódica implica el uso de plasma gaseoso para desprender átomos de la superficie de un material objetivo sólido. A continuación, estos átomos se depositan para formar un recubrimiento extremadamente fino sobre la superficie de los sustratos. La secuencia del proceso de sputtering comienza con la introducción de un gas controlado en una cámara de vacío que contiene el blanco y el sustrato. El gas se ioniza, creando un plasma. Los iones del plasma se aceleran hacia el blanco, donde chocan con el material del blanco, provocando la expulsión de átomos. Estos átomos expulsados viajan a través del vacío y se depositan sobre el sustrato, formando una fina película.
El sputtering contiene múltiples subtipos, como la corriente continua (CC), la radiofrecuencia (RF), la frecuencia media (MF), la CC pulsada y el HiPIMS, cada uno con su propia aplicabilidad. Esta versatilidad permite utilizar el sputtering para depositar revestimientos de materiales conductores y aislantes con una pureza química muy elevada sobre prácticamente cualquier sustrato. El proceso es repetible y puede utilizarse para lotes medianos y grandes de sustratos, lo que lo convierte en una tecnología valiosa para una amplia variedad de aplicaciones, como semiconductores, CD, unidades de disco y dispositivos ópticos.
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