La temperatura de la evaporación por haz electrónico no se indica explícitamente en las referencias proporcionadas, pero el proceso implica calentar el material fuente hasta un punto en el que se evapora, lo que normalmente requiere temperaturas superiores al punto de fusión del material. Por ejemplo, los metales refractarios como el tungsteno y el tántalo, que tienen puntos de fusión elevados, se evaporan habitualmente mediante evaporación por haz electrónico. El propio haz de electrones se calienta a unos 3.000 °C y, cuando incide sobre el material de partida, la energía cinética de los electrones se convierte en energía térmica, calentando el material hasta su evaporación.
En el proceso de evaporación por haz electrónico, se utiliza un haz de electrones focalizado para calentar y evaporar metales. Los electrones suelen calentarse a unos 3.000 °C y una fuente de tensión continua de 100 kV los acelera hacia el material objetivo. Este método es especialmente útil para depositar materiales con puntos de fusión elevados, ya que el calentamiento está muy localizado cerca del lugar de bombardeo del haz en la superficie de la fuente. Este calentamiento localizado evita la contaminación del crisol.
Cuando los electrones calentados golpean el material de la fuente, pierden rápidamente su energía, convirtiendo su energía cinética en energía térmica que calienta la superficie de la fuente. Una vez que la temperatura es lo suficientemente alta, se produce vapor que recubre la superficie del sustrato. Parte de la energía de los electrones incidentes se pierde a través de la producción de rayos X y la emisión de electrones secundarios.
El proceso requiere un entorno de alto vacío, normalmente con una presión inferior a 10^-5 Torr, para minimizar las colisiones de los átomos de la fuente con los átomos del gas de fondo. Este requisito de alto vacío es necesario para conseguir tasas de deposición razonables, en las que la presión de vapor debe ser de aproximadamente 10 mTorr. Esto hace que la evaporación por haz electrónico sea adecuada para materiales que no pueden evaporarse mediante evaporación térmica debido a sus altas temperaturas de vaporización. Por ejemplo, la evaporación de platino requeriría una temperatura de unos 2.000 °C, que está fuera del rango operativo de la evaporación térmica pero que es factible con la evaporación por haz electrónico.
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