El proceso de deposición química en fase vapor orgánico metálico (MOCVD) implica varios pasos críticos que permiten la deposición de materiales semiconductores de alta calidad. Estos pasos incluyen la selección e introducción de precursores, el suministro y mezcla de gases y el proceso de deposición propiamente dicho. Cada paso es crucial para lograr un control preciso sobre la composición y las propiedades de las películas depositadas.
Selección e introducción de precursores:
El primer paso del proceso MOCVD es la selección de los precursores metalorgánicos y los gases de reacción adecuados. Los precursores, que son compuestos metalorgánicos, se eligen en función del material que se desea depositar. Estos precursores suelen contener un centro metálico unido a uno o más ligandos orgánicos. Los gases de reacción, normalmente hidrógeno, nitrógeno u otros gases inertes, se utilizan para transportar estos precursores a la cámara de reacción. La elección de los precursores y los gases es fundamental, ya que influye directamente en la calidad y las propiedades del material depositado.Suministro y mezcla de gases:
Una vez seleccionados los precursores y los gases, se mezclan a la entrada de la cámara de reacción. Esta mezcla suele controlarse para garantizar caudales y presiones precisos, que son esenciales para mantener un proceso de deposición uniforme. A continuación, la mezcla se introduce en la cámara de reacción, donde los precursores se descomponen o activan térmicamente, a menudo mediante el uso de plasma o luz.
Proceso de deposición:
En la cámara de reacción, el centro metálico de los precursores reacciona con otras moléculas precursoras o con el sustrato para formar el material deseado. Durante este proceso, los ligandos orgánicos se liberan como subproductos. La MOCVD es especialmente eficaz para depositar semiconductores compuestos, películas dieléctricas de alta calidad y películas metálicas en dispositivos CMOS. El proceso permite controlar con precisión la composición y los niveles de dopaje, lo que resulta crucial para el rendimiento de los dispositivos finales.Control y precisión avanzados:
