El proceso CVD a presión atmosférica (APCVD) es un método de deposición química en fase vapor que tiene lugar a presión atmosférica normal.
Se utiliza para la deposición de diversos óxidos sobre un sustrato.
En un sistema APCVD, la cámara de reacción funciona a presión atmosférica, o 1 atm.
7 puntos clave que hay que saber sobre el proceso CVD a presión atmosférica
1. Compatibilidad con procesos sin vacío
El proceso APCVD es compatible con procesos en línea continuos y sin vacío.
Esto lo hace adecuado para aplicaciones de fabricación sensibles a los costes y de gran volumen, como la fabricación de células fotovoltaicas.
2. Versatilidad en el depósito
Puede utilizarse para depositar películas epitaxiales de silicio y compuestos en un reactor de pared fría.
También puede utilizarse para crear revestimientos metalúrgicos duros como TiC y TiN en un reactor de pared caliente.
3. Alta tasa de deposición
El proceso APCVD suele tener una alta tasa de deposición.
Esto significa que puede depositar rápidamente una capa de material sobre una oblea o sustrato.
4. Larga vida útil y rendimiento óptimo
Las películas generadas mediante esta técnica de deposición tienen una larga vida útil.
Proporcionan un rendimiento óptimo en diversas aplicaciones.
5. Comparación con otros procesos CVD
Además del CVD a presión atmosférica, existen otras dos categorías de procesos de CVD: el CVD a baja presión (LPCVD) y el CVD a ultra alto vacío (UHVCVD).
El LPCVD funciona a presión subatmosférica, lo que reduce la probabilidad de reacciones no deseadas en la fase de vapor y mejora la uniformidad de la película depositada.
El UHVCVD, por su parte, tiene lugar a muy baja presión, normalmente por debajo de 10-6 Pa.
6. Clasificaciones variadas de los procesos CVD
También existen varias clasificaciones de procesos CVD basadas en el calentamiento del sustrato, las propiedades del material y los tipos de plasma utilizados.
Entre ellos se incluyen el CVD asistido por aerosol, el CVD por inyección directa de líquido, el CVD mejorado por plasma, el CVD asistido por microondas y plasma, el CVD híbrido físico-químico y el CVD fotoasistido.
7. Versatilidad y eficiencia
En general, el proceso de CVD a presión atmosférica es un método versátil y eficiente para depositar películas de óxido sobre sustratos.
Ofrece altas velocidades de deposición y compatibilidad con procesos de fabricación continuos y sin vacío.
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