Equipo técnico · Kintek Solution

Para preparar carburo de silicio (SiC) en el laboratorio, se pueden emplear varios métodos, como la deposición química en fase vapor a alta temperatura (HTCVD), la sinterización y la unión por reacción. Cada método tiene sus condiciones y requisitos específicos, que se detallan a continuación.

Deposición química en fase vapor a alta temperatura (HTCVD):

1. Este método consiste en hacer crecer cristales de SiC en un reactor cerrado en el que un calentamiento externo mantiene la cámara de reacción a temperaturas comprendidas entre 2000°C y 2300°C. El proceso es una reacción superficial en la que intervienen la termodinámica, el transporte de gas y el crecimiento de la película. Los pasos incluyen:
2. El gas de reacción mezclado llega a la superficie del material del sustrato.
3. Descomposición del gas de reacción a altas temperaturas, dando lugar a una reacción química en la superficie del sustrato para formar una película de cristal sólido.

Desprendimiento del producto sólido de la superficie del sustrato, con introducción continua del gas de reacción para permitir que la película cristalina siga creciendo.Sinterización:

2. La sinterización es un método común para producir cerámica de carburo de silicio. Consiste en la consolidación del polvo de carburo de silicio bajo calor y presión sin fundir todo el cuerpo. El proceso puede mejorarse añadiendo coadyuvantes de sinterización o utilizando atmósferas específicas. Los pasos clave son
3. Preparación de polvo de SiC de gran pureza.

Compactación del polvo para darle la forma deseada.Calentamiento del polvo compactado en una atmósfera controlada a una temperatura inferior a su punto de fusión, normalmente entre 2.000 °C y 2.300 °C, para lograr la densificación mediante difusión atómica.

1. Unión por reacción:
3. Este método consiste en la reacción de una masa fundida de silicio con carbono para formar SiC. El proceso incluye:

Mezclar una fuente de carbono con polvo de SiC para formar un cuerpo verde.

Infiltración del cuerpo verde con silicio fundido a altas temperaturas (por encima de 1500°C).