El sputtering por magnetrón de RF es un método utilizado para crear películas finas, especialmente sobre materiales no conductores. Utiliza energía de radiofrecuencia (RF) para convertir un material en plasma en una cámara de vacío. A continuación, este plasma forma una película fina sobre un sustrato.
Explicación de los 3 pasos clave
1. Instalación en una cámara de vacío
El sustrato se coloca dentro de una cámara de vacío. A continuación se extrae el aire del interior de la cámara. El material objetivo, que se convertirá en la película fina, se introduce como gas en este entorno de baja presión.
2. Ionización del material objetivo
Se aplica un campo eléctrico de RF que acelera los iones de argón. Estos iones golpean el material objetivo, provocando la expulsión de átomos del mismo. Se utilizan imanes para controlar la trayectoria de estos átomos expulsados, mejorando el proceso de ionización. El campo magnético crea un "túnel" que atrapa electrones cerca de la superficie del blanco, aumentando la eficiencia de la formación de iones de gas y manteniendo la descarga de plasma.
3. Deposición de película fina
Los átomos expulsados del material objetivo se desplazan y depositan sobre el sustrato. Esta deposición se produce no sólo directamente delante del blanco, sino también en zonas fuera del plasma para evitar el grabado por el plasma. La potencia de RF garantiza que el material objetivo no acumule una carga significativa, ya que se descarga cada medio ciclo, evitando la acumulación de aislamiento que podría detener el proceso de deposición. Este mecanismo permite una deposición continua, incluso en sustratos no conductores.
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