El sputtering RF es un proceso de recubrimiento especializado que implica varios parámetros clave para garantizar una deposición de película fina eficiente y de alta calidad.
Explicación de 4 factores clave
Fuente de alimentación y tensión
El sputtering por RF utiliza una fuente de alimentación de CA.
Esta fuente funciona a una frecuencia específica de 13,56 MHz.
Esta frecuencia ayuda a evitar la acumulación de carga en los materiales objetivo.
El voltaje pico a pico se fija en 1000 V.
Este voltaje es esencial para mantener el plasma y asegurar un sputtering eficiente.
Densidad de electrones y presión de la cámara
Las densidades de electrones en el sputtering por RF oscilan entre 10^9 y 10^11 cm^-3. Estas densidades influyen en la ionización de los materiales.
Estas densidades influyen en la ionización del gas y en la eficiencia global del proceso de sputtering.
La presión de la cámara se ajusta entre 0,5 y 10 mTorr.
Esta presión más baja reduce las colisiones del gas ionizado y mejora la eficacia del proceso de deposición.
Un entorno de menor presión ayuda a conseguir una deposición más uniforme y controlada.Idoneidad del material y velocidad de deposición
