La principal diferencia entre el sputtering por magnetrón DC y RF radica en el tipo de tensión aplicada al blanco. En el sputtering por magnetrón de corriente continua se aplica una tensión constante, mientras que en el sputtering por magnetrón de radiofrecuencia se utiliza una tensión alterna a radiofrecuencias. Esta distinción tiene varias implicaciones para el proceso de pulverización catódica y los tipos de materiales que pueden pulverizarse eficazmente.
El sputtering por magnetrón de corriente continua:
En el sputtering por magnetrón de corriente continua, el material objetivo es bombardeado con iones energéticos procedentes de un plasma, lo que provoca la expulsión de átomos del objetivo y su depósito sobre un sustrato. Este método es sencillo y eficaz para materiales conductores, ya que la tensión constante garantiza un plasma estable y una velocidad de sputtering constante. Sin embargo, el sputtering DC puede provocar una acumulación de carga en la superficie del blanco, especialmente cuando se sputtering materiales aislantes, lo que puede interrumpir el proceso de sputtering.Sputtering por magnetrón RF:
El sputtering por magnetrón RF utiliza un voltaje alterno, normalmente a radiofrecuencias (13,56 MHz), que ayuda a evitar la acumulación de carga en la superficie del blanco. Esto hace que el sputtering RF sea especialmente adecuado para materiales aislantes, ya que la corriente alterna neutraliza eficazmente cualquier acumulación de carga. Además, el sputtering RF puede mantener el plasma gaseoso a una presión de cámara significativamente menor (menos de 15 mTorr) que el sputtering DC (que requiere unos 100 mTorr). Esta menor presión reduce el número de colisiones entre las partículas de plasma cargadas y el material objetivo, lo que conduce a una vía más directa para el sputtering.
Ventajas e inconvenientes:
El sputtering de RF tiene la ventaja de poder pulverizar eficazmente tanto materiales metálicos como dieléctricos sin el riesgo de formación de arcos, que puede producirse en el sputtering de CC, especialmente cuando hay islas de óxido o asperezas en el blanco. Sin embargo, el sistema de alimentación del sputtering RF es más complejo y menos eficaz que el del sputtering DC. Las fuentes de alimentación de RF suelen ser menos eficientes y requieren sistemas de refrigeración más sofisticados, lo que encarece su funcionamiento, especialmente a niveles de potencia más elevados.
Aplicaciones:
