La principal diferencia entre el CVD térmico y el PECVD (deposición química en fase vapor mejorada por plasma) radica en la temperatura y las fuentes de energía utilizadas durante el proceso de deposición.
El CVD térmico se basa únicamente en la activación térmica para impulsar las reacciones gaseosas y superficiales. Consiste en calentar el sustrato a altas temperaturas, normalmente por encima de 500˚C, para promover las reacciones químicas y la deposición del material deseado. El calor proporciona la energía necesaria para la disociación y reacción de los gases reactivos.
Por otra parte, el PECVD utiliza tanto la energía térmica como la descarga luminosa inducida por RF para controlar las reacciones químicas. El plasma creado por la energía de RF produce electrones libres que chocan con los gases reactivos, disociándolos y generando las reacciones deseadas. La energía de la descarga luminosa reduce la dependencia de la energía térmica elevada, lo que permite que el PECVD funcione a temperaturas más bajas, de entre 100˚C y 400˚C. Esta temperatura más baja es ventajosa, ya que reduce la tensión sobre el material y proporciona un mejor control sobre el proceso de deposición.
En resumen, la principal diferencia entre el CVD térmico y el PECVD son las fuentes de energía utilizadas y el intervalo de temperaturas. El CVD térmico se basa únicamente en la activación térmica a altas temperaturas, mientras que el PECVD combina la energía térmica y la descarga luminosa inducida por RF para funcionar a temperaturas más bajas. PECVD ofrece ventajas como temperaturas de deposición más bajas, un mejor control de la deposición de películas finas y la capacidad de depositar películas con buenas propiedades dieléctricas.
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