Horno CVD y PECVD
Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Sistema de Deposición Química de Vapor y Estación de Vacío
Número de artículo : KT-CTF12
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura máxima
- 1200 ℃
- Temperatura de trabajo constante
- 1100 ℃
- Diámetro del tubo del horno
- 60 mm
- Longitud de la zona de calentamiento
- 1x450 mm
- Velocidad de calentamiento
- 0-20 ℃/min
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Introducción
El Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Estación de Vacío es un equipo de laboratorio versátil y de alto rendimiento diseñado para aplicaciones de deposición química de vapor (CVD). Cuenta con una cámara de horno dividida que permite un fácil acceso a las muestras de reacción y un enfriamiento rápido. El tubo del horno está hecho de cuarzo de alta temperatura y tiene un diámetro de 60 mm. El sistema incluye un medidor de flujo másico MFC de 4 canales con gases fuente de CH4, H2, O2 y N2, lo que proporciona un control preciso sobre las tasas de flujo de gas. La estación de vacío cuenta con una bomba de vacío de paletas rotativas de 4L/S, alcanzando una presión de vacío máxima de 10 Pa. Con sus características y capacidades avanzadas, el Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Estación de Vacío es una opción ideal para diversas aplicaciones de investigación y desarrollo en ciencia de materiales, procesamiento de semiconductores y otros campos.
Detalles y Piezas
Aplicaciones
La Máquina de CVD de Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Estación de Vacío es un equipo versátil y avanzado diseñado para una variedad de aplicaciones en los campos de la ciencia de materiales, la fabricación de semiconductores y la investigación y el desarrollo. Esta máquina es particularmente útil para procesos que requieren un control preciso de la temperatura, el flujo de gas y los niveles de vacío, lo que la convierte en una herramienta esencial para la síntesis y el procesamiento de materiales de alta calidad.
- Síntesis de nanomateriales: El horno es ideal para el crecimiento de nanocables, nanofilms y otros materiales nanoestructurados, que son cruciales en el desarrollo de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados.
- Recubrimiento al vacío: Se utiliza ampliamente para la deposición de películas delgadas sobre diversos sustratos, incluidas películas metálicas, cerámicas y compuestas, que son esenciales para mejorar las propiedades de los materiales en aplicaciones como la óptica y la electrónica.
- Procesamiento de materiales de baterías: El horno es adecuado para el secado y sinterizado de materiales de baterías, lo que es un paso crítico en la producción de baterías de alto rendimiento.
- Secado y sinterizado de materiales: Se utiliza en el sinterizado a alta temperatura de cerámicas, materiales refractarios y materiales especiales, asegurando la consolidación y densificación de estos materiales.
- Tratamiento térmico en atmósfera y vacío: La configuración del horno de tubo vertical permite el temple, recocido y revenido de piezas pequeñas de acero, así como el recubrimiento CVD vertical, lo que lo convierte en un activo valioso en procesos metalúrgicos.
- Investigación y Desarrollo: Se utiliza ampliamente en universidades, institutos de investigación y empresas industriales y mineras para realizar experimentos a alta temperatura, sinterizado en atmósfera, atmósfera reductora y experimentos CVD/CVI, contribuyendo al avance de la ciencia y la tecnología de materiales.
Características
La Máquina de CVD de Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Estación de Vacío es un equipo sofisticado diseñado para procesos avanzados de deposición química de vapor (CVD). Este horno integra tecnología de vanguardia para mejorar la eficiencia y la calidad de la deposición de películas, lo que lo hace ideal para aplicaciones de investigación e industriales. Estas son las características clave y sus beneficios:
- Alta tasa de deposición de película: Utilizando tecnología de descarga de radiofrecuencia, este horno aumenta significativamente la tasa de deposición de película, alcanzando hasta 10 Å/S. Esta rápida deposición es crucial para la producción e investigación de alto rendimiento, ahorrando tiempo y aumentando la productividad.
- Uniformidad de área grande: Con tecnología avanzada de alimentación de RF multipunto y distribución especializada de la ruta de gas, el horno garantiza una uniformidad de película de hasta el 8%. Esta uniformidad es esencial para crear recubrimientos consistentes y de alta calidad en sustratos grandes, mejorando la fiabilidad de los materiales producidos.
- Deposición consistente: El diseño incorpora conceptos avanzados de la industria de semiconductores, lo que resulta en una desviación de menos del 2% entre sustratos. Este alto nivel de consistencia es vital para aplicaciones que requieren resultados precisos y repetibles, como en la producción de componentes electrónicos.
- Control de proceso estable: La alta estabilidad del equipo garantiza la continuidad y consistencia del proceso CVD. Esta fiabilidad es fundamental para mantener la integridad del proceso y reducir el riesgo de defectos o fallos durante el funcionamiento.
- Sistema de control inteligente: Patentado por Bonage, el sistema de control integrado incluye un sistema de control de temperatura de alto rendimiento que utiliza un mecanismo de retroalimentación negativa de bucle cerrado. Este sistema, combinado con componentes eléctricos importados de alta calidad, mejora el rendimiento general y la fiabilidad del equipo, haciéndolo prácticamente libre de mantenimiento.
- Aplicaciones versátiles: Adecuado para depositar varios tipos de películas, incluidas películas metálicas, cerámicas y compuestas, el horno admite procesos de crecimiento continuo y se puede ampliar fácilmente con funciones adicionales como limpieza y grabado por plasma. Esta versatilidad lo convierte en un activo valioso para diversas necesidades de investigación y producción.
Principio
La Máquina de CVD de Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Estación de Vacío es un horno de vacío de alta temperatura utilizado para procesos de deposición química de vapor (CVD). La CVD es un proceso en el que se deposita una película delgada de material sobre un sustrato mediante la reacción química de un gas o vapor. La Máquina de CVD de Horno de Tubo de CVD de Cámara Dividida con Estación de Vacío utiliza una cámara de horno dividida para permitir un fácil acceso al sustrato durante el proceso CVD. La estación de vacío se utiliza para crear un vacío en la cámara del horno, lo que ayuda a eliminar impurezas y mejorar la calidad de la película depositada.
Ventajas
- Observación intuitiva de muestras y enfriamiento rápido: La cámara de horno dividida permite la observación directa de las muestras de reacción y un enfriamiento rápido.
- Capacidad de alta temperatura: Temperatura máxima de trabajo de hasta 1200℃ para aplicaciones versátiles.
- Control preciso de gas: El medidor de flujo másico MFC de 4 canales con fuentes CH4, H2, O2 y N2 garantiza un suministro de gas preciso y estable.
- Compatibilidad con vacío: La estación de vacío con una bomba de vacío de paletas rotativas de 4L/S alcanza una presión de vacío máxima de hasta 10 Pa, lo que permite diversos procesos de vacío.
- Calentamiento y enfriamiento de alta velocidad: El sistema deslizante de la cámara del horno facilita el calentamiento y enfriamiento rápidos para un procesamiento eficiente de muestras.
- Control avanzado de temperatura: Control de temperatura programable PID con excelente precisión, control remoto y capacidades de control centralizado.
- Interfaz fácil de usar: El controlador CTF Pro con pantalla táctil TFT de 7 pulgadas ofrece una configuración de programa intuitiva y análisis de datos.
- Configuración de vacío versátil: La brida de vacío de acero inoxidable con puertos adaptables admite diferentes estaciones de bomba de vacío para entornos de vacío personalizados.
- Eficiencia energética: El sistema de enfriamiento por agua y el diseño de flujo de gas posterior minimizan el consumo de energía.
- Amplia aplicabilidad: Adecuado para CVD, difusión y otros tratamientos térmicos bajo vacío y protección de atmósfera.
Ventaja de Seguridad
- El horno de tubo Kindle Tech cuenta con protección contra sobrecorriente y función de alarma de sobretemperatura; el horno apagará la energía automáticamente.
- El horno tiene una función de detección de termopar incorporada; el horno dejará de calentar y se activará una alarma una vez que se detecte una rotura o falla.
- El KT-CTF12 Pro admite la función de reinicio tras fallo de alimentación; el horno reanudará el programa de calentamiento del horno cuando llegue la energía después de un fallo.
Especificaciones técnicas
| Modelo de horno | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Temperatura máx. | 1200℃ |
| Temperatura de trabajo constante | 1100℃ |
| Material del tubo del horno | Cuarzo de alta pureza |
| Diámetro del tubo del horno | 60 mm |
| Longitud de la zona de calentamiento | 1x450 mm |
| Material de la cámara | Fibra de alúmina de Japón |
| Elemento calefactor | Bobina de alambre Cr2Al2Mo2 |
| Velocidad de calentamiento | 0-20℃/min |
| Termopar | Tipo K incorporado |
| Controlador de temperatura | Controlador digital PID / Controlador PID con pantalla táctil |
| Precisión del control de temperatura | ±1℃ |
| Distancia de deslizamiento | 600 mm |
| Unidad de control preciso de gas | |
| Caudalímetro | Caudalímetro másico MFC |
| Canales de gas | 4 canales |
| Caudal | MFC1: 0-5 SCCM O2 MFC2: 0-20 SCCM CH4 MFC3: 0-100 SCCM H2 MFC4: 0-500 SCCM N2 |
| Linealidad | ±0.5% F.S. |
| Repetibilidad | ±0.2% F.S. |
| Tubería y válvula | Acero inoxidable |
| Presión máxima de funcionamiento | 0.45 MPa |
| Controlador de caudalímetro | Controlador de perilla digital / Controlador con pantalla táctil |
| Unidad de vacío estándar (Opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba de vacío de paletas rotativas |
| Caudal de la bomba | 4 L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Manómetro de vacío | Manómetro de vacío Pirani/Resistencia de silicio |
| Presión de vacío nominal | 10 Pa |
| Unidad de alto vacío (Opcional) | |
| Bomba de vacío | Bomba de paletas rotativas + Bomba molecular |
| Caudal de la bomba | 4 L/S + 110 L/S |
| Puerto de succión de vacío | KF25 |
| Manómetro de vacío | Manómetro de vacío compuesto |
| Presión de vacío nominal | 6x10-5 Pa |
| Las especificaciones y configuraciones anteriores se pueden personalizar | |
Paquete Estándar
| No. | Descripción | Cantidad |
|---|---|---|
| 1 | Horno | 1 |
| 2 | Tubo de cuarzo | 1 |
| 3 | Brida de vacío | 2 |
| 4 | Bloque térmico del tubo | 2 |
| 5 | Gancho del bloque térmico del tubo | 1 |
| 6 | Guante resistente al calor | 1 |
| 7 | Control preciso de gas | 1 |
| 8 | Unidad de vacío | 1 |
| 9 | Manual de operación | 1 |
Configuración Opcional
- Detección y monitorización de gases en el tubo, como H2, O2 y otros.
- Monitorización y registro independiente de la temperatura del horno.
- Puerto de comunicación RS 485 para control remoto por PC y exportación de datos.
- Control de caudal de alimentación de gases de inserción, como caudalímetro másico y caudalímetro de flotador.
- Controlador de temperatura con pantalla táctil con funciones versátiles y fáciles de usar.
- Configuraciones de estación de bomba de alto vacío, como bomba de vacío de paletas, bomba molecular, bomba de difusión.
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
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FAQ
¿Qué Es El Horno CVD?
La deposición química de vapor (CVD) es una tecnología que utiliza diversas fuentes de energía, como calentamiento, excitación de plasma o radiación de luz para hacer reaccionar químicamente sustancias químicas gaseosas o de vapor en la fase gaseosa o la interfaz gas-sólido para formar depósitos sólidos en el reactor por medio de reacción química. En pocas palabras, dos o más materias primas gaseosas se introducen en una cámara de reacción y luego reaccionan entre sí para formar un nuevo material y depositarlo en la superficie del sustrato.
El horno CVD es un sistema de horno combinado con unidad de horno tubular de alta temperatura, unidad de control de gases y unidad de vacío, es ampliamente utilizado para experimentar y producir preparación de materiales compuestos, proceso de microelectrónica, optoelectrónica de semiconductores, utilización de energía solar, comunicación de fibra óptica, superconductor tecnología, campo de recubrimiento protector.
¿Qué Es Un Horno Tubular?
El horno tubular de laboratorio es un horno tubular de alta temperatura de calentamiento externo clásico, también llamado horno de calentamiento de pared caliente.
De acuerdo con las diferentes temperaturas de trabajo, el material del tubo del horno generalmente puede ser tubos de cuarzo transparente, tubos de cerámica de alúmina de alta pureza y tubos de aleación de metal de alta resistencia.
Para cumplir con diferentes propósitos de investigación térmica, el horno tubular se puede diseñar con múltiples zonas de calentamiento, para tener un control flexible del gradiente de temperatura en la cámara de trabajo del tubo; El tubo del horno puede funcionar con un entorno de trabajo de atmósfera controlada o un entorno de trabajo de alto vacío.
¿Para Qué Se Utiliza Un Horno De Vacío?
¿Cómo Funciona El Horno CVD?
El sistema de horno CVD consta de una unidad de horno tubular de alta temperatura, una unidad de control preciso de la fuente de gas reaccionante, una estación de bomba de vacío y las piezas de montaje correspondientes.
La bomba de vacío es para eliminar el aire del tubo de reacción y asegurarse de que no haya gases no deseados dentro del tubo de reacción, después de eso, el horno tubular calentará el tubo de reacción a una temperatura objetivo, luego la unidad de control precisa de la fuente de gas de reacción puede introducir diferentes gases con una relación establecida en el tubo del horno para la reacción química, la deposición de vapor químico se formará en el horno CVD.
¿Cómo Funciona Un Horno Tubular?
Los elementos calefactores del horno tubular se colocan alrededor de la cavidad cilíndrica, el horno solo puede calentar las muestras en la cavidad cilíndrica a través de la radiación térmica indirecta, ya que el tubo del horno puede evitar que el material de la muestra entre en contacto con los elementos calefactores del horno y los materiales de aislamiento, por lo que el horno tubular crea un aislamiento limpio. calentar la cámara y reducir los riesgos de que el material de la muestra se contamine con el horno.
¿Qué Es Mpcvd?
¿Cuál Es El Proceso De Un Horno De Vacío?
¿Qué Gas Se Utiliza En El Proceso De CVD?
Hay enormes fuentes de gas que se pueden usar en el proceso de CVD, las reacciones químicas comunes de CVD incluyen pirólisis, fotólisis, reducción, oxidación, redox, por lo que los gases involucrados en estas reacciones químicas se pueden usar en el proceso de CVD.
Tomamos el crecimiento de CVD Graphene como ejemplo, los gases utilizados en el proceso de CVD serán CH4, H2, O2 y N2.
¿Cuál Es La Aplicación Para Horno Tubular?
El horno tubular se utiliza principalmente en metalurgia, vidrio, tratamiento térmico, materiales de ánodo y cátodo de litio, nueva energía, abrasivos y otras industrias, y es un equipo profesional para medir materiales bajo ciertas condiciones de temperatura.
El horno tubular presenta una estructura simple, fácil operación, fácil control y producción continua.
El horno tubular también se aplica ampliamente en los sistemas CVD (deposición química de vapor) y CVD mejorados con plasma.
¿Qué Es La Máquina Mpcvd?
¿Qué Gas Se Utiliza En Un Horno De Vacío?
¿Cuál Es La Ventaja Del Sistema CVD?
- Se puede producir una amplia gama de películas, películas metálicas, películas no metálicas y películas de aleación multicomponente, según se requiera. Al mismo tiempo, puede preparar cristales de alta calidad que son difíciles de obtener por otros métodos, como GaN, BP, etc.
- La velocidad de formación de la película es rápida, normalmente varias micras por minuto o incluso cientos de micras por minuto. Es posible depositar simultáneamente grandes cantidades de recubrimientos con una composición uniforme, lo que es incomparable con otros métodos de preparación de películas, como la epitaxia en fase líquida (LPE) y la epitaxia de haz molecular (MBE).
- Las condiciones de trabajo se llevan a cabo en condiciones de presión normal o bajo vacío, por lo que el recubrimiento tiene una buena difracción y las piezas de trabajo con formas complejas se pueden recubrir uniformemente, lo cual es muy superior al PVD.
- Debido a la difusión mutua del gas de reacción, el producto de reacción y el sustrato, se puede obtener un recubrimiento con buena fuerza de adhesión, lo cual es crucial para preparar películas con superficie reforzada, como películas resistentes al desgaste y anticorrosión.
- Algunas películas crecen a una temperatura mucho más baja que el punto de fusión del material de la película. En condiciones de crecimiento a baja temperatura, el gas de reacción y la pared del reactor y las impurezas contenidas en ellos casi no reaccionan, por lo que se puede obtener una película con alta pureza y buena cristalinidad.
- La deposición de vapor químico puede obtener una superficie de deposición suave. Esto se debe a que, en comparación con LPE, la deposición química de vapor (CVD) se lleva a cabo en alta saturación, con alta tasa de nucleación, alta densidad de nucleación y distribución uniforme en todo el plano, lo que da como resultado una superficie lisa macroscópica. Al mismo tiempo, en la deposición química de vapor, el camino libre promedio de las moléculas (átomos) es mucho mayor que el LPE, por lo que la distribución espacial de las moléculas es más uniforme, lo que conduce a la formación de una superficie de deposición uniforme.
- Bajo daño por radiación, que es una condición necesaria para la fabricación de semiconductores de óxido metálico (MOS) y otros dispositivos
¿Cuántos Tipos Diferentes De Hornos Tubulares?
El horno tubular puede funcionar con diferentes funciones mecánicas sin problemas, por lo que hay muchos tipos diferentes de variaciones de horno tubular para diferentes propósitos experimentales, los hornos típicos son los siguientes:
- Horno tubular horizontal
- Horno tubular vertical
- Horno de tubo partido
- Horno de tubo rotatorio
- Horno de tubo basculante
- Horno de tubo deslizante
- Horno tubular de calentamiento y enfriamiento rápido
- Horno tubular de alimentación y descarga continua
¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?
¿Cuál Es El Elemento Calefactor Utilizado En Un Horno De Vacío?
¿Qué Significa PECVD?
PECVD es una tecnología que utiliza plasma para activar el gas de reacción, promover la reacción química en la superficie del sustrato o en el espacio cercano a la superficie y generar una película sólida. El principio básico de la tecnología de deposición de vapor químico de plasma es que, bajo la acción de un campo eléctrico de RF o CC, el gas de origen se ioniza para formar un plasma, el plasma de baja temperatura se utiliza como fuente de energía, se obtiene una cantidad adecuada de gas de reacción. introducido, y la descarga de plasma se utiliza para activar el gas de reacción y realizar la deposición de vapor químico.
Según el método de generación de plasma, se puede dividir en plasma de RF, plasma de CC y plasma de microondas CVD, etc...
¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?
¿Cuál Es La Diferencia Entre CVD Y PECVD?
La diferencia entre PECVD y la tecnología CVD tradicional es que el plasma contiene una gran cantidad de electrones de alta energía, que pueden proporcionar la energía de activación requerida en el proceso de deposición química de vapor, cambiando así el modo de suministro de energía del sistema de reacción. Dado que la temperatura de los electrones en el plasma es tan alta como 10000K, la colisión entre los electrones y las moléculas de gas puede promover la ruptura del enlace químico y la recombinación de las moléculas de gas de reacción para generar grupos químicos más activos, mientras que todo el sistema de reacción mantiene una temperatura más baja.
Entonces, en comparación con el proceso de CVD, PECVD puede llevar a cabo el mismo proceso de deposición de vapor químico con una temperatura más baja.
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