Horno CVD y PECVD
Horno tubular de equipo PECVD de deposición química de vapor mejorada por plasma rotatorio inclinado
Número de artículo : KT-PED
El precio varía según Especificaciones y personalizaciones
- Temperatura de calentamiento del portador de muestras
- ≤800℃
- Canales de purga de gas
- 4 canales
- Tamaño de la cámara de vacío
- Φ500mm × 550 mm
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Introducción
La Deposición Química de Vapor Mejorada por Plasma (PECVD) es un proceso de deposición de películas delgadas al vacío que utiliza vapores o gases como precursores para crear un recubrimiento. El PECVD es una variación de la deposición química de vapor (CVD) que usa plasma en lugar de calor para activar el gas o vapor fuente. Al evitar altas temperaturas, el rango de sustratos posibles se amplía a materiales de bajo punto de fusión, incluso plásticos en algunos casos. Además, también crece la gama de materiales de recubrimiento que se pueden depositar. El PECVD se usa para depositar una amplia variedad de materiales, incluidos dieléctricos, semiconductores, metales y aislantes. Los recubrimientos PECVD se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, como células solares, pantallas de panel plano y microelectrónica.
Aplicaciones
Las máquinas de recubrimiento por Deposición Química de Vapor Mejorada por Plasma (PECVD) ofrecen una solución versátil para diversas industrias y aplicaciones:
- Iluminación LED:** Deposición de películas dieléctricas y semiconductoras de alta calidad para diodos emisores de luz (LED).
- Semiconductores de potencia:** Formación de capas aislantes, óxidos de puerta y otros componentes críticos en dispositivos semiconductores de potencia.
- MEMS:** Fabricación de películas delgadas para sistemas microelectromecánicos (MEMS), como sensores y actuadores.
- Recubrimientos ópticos:** Deposición de recubrimientos antirreflejantes, filtros ópticos y otros componentes ópticos.
- Células solares de película delgada:** Producción de películas delgadas de silicio amorfo y microcristalino para dispositivos de células solares.
- Modificación de superficies:** Mejora de propiedades superficiales, como resistencia a la corrosión, resistencia al desgaste y biocompatibilidad.
- Nanotecnología:** Síntesis de nanomateriales, incluidas nanopartículas, nanocables y películas delgadas.
Características
La Máquina de Recubrimiento por Deposición Química de Vapor Mejorada por Plasma (PECVD) ofrece numerosas ventajas que mejoran la productividad y entregan resultados excepcionales:
- Deposición a baja temperatura: Permite la formación de películas de alta calidad a temperaturas significativamente más bajas que los métodos CVD tradicionales, por lo que es adecuada para sustratos delicados.
- Altas tasas de deposición: Maximiza la eficiencia al depositar películas rápidamente, reduciendo el tiempo de producción y aumentando la producción.
- Películas uniformes y resistentes a grietas: Garantiza propiedades de película consistentes y minimiza el riesgo de agrietamiento, lo que da como resultado recubrimientos fiables y duraderos.
- Excelente adhesión a los sustratos: Proporciona una unión fuerte entre la película y el sustrato, garantizando un rendimiento duradero y evitando la delaminación.
- Capacidades de recubrimiento versátiles: Permite la deposición de una amplia gama de materiales, incluidos SiO₂, SiNx y SiOxNy, para cumplir con diversos requisitos de aplicación.
- Personalización para geometrías complejas: Se adapta a sustratos con formas intrincadas, garantizando un recubrimiento uniforme y un rendimiento óptimo.
- Bajo mantenimiento y fácil instalación: Minimiza el tiempo de inactividad y simplifica la configuración, mejorando la productividad y la rentabilidad.
Especificaciones técnicas
| Portamuestras | Tamaño | 1 a 6 pulgadas |
| Velocidad de rotación | Ajustable de 0 a 20 rpm | |
| Temperatura de calentamiento | ≤800℃ | |
| Precisión de control | ±0,5℃ Controlador PID SHIMADEN | |
| Purga de gas | Medidor de flujo | Controlador de medidor de flujo másico (MFC) |
| Canales | 4 canales | |
| Método de enfriamiento | Enfriamiento por agua circulante | |
| Cámara de vacío | Tamaño de cámara | Φ500mm X 550mm |
| Puerto de observación | Puerto de visión completa con deflector | |
| Material de cámara | Acero inoxidable 316 | |
| Tipo de puerta | Puerta de apertura frontal | |
| Material de tapa | Acero inoxidable 304 | |
| Puerto de bomba de vacío | Brida CF200 | |
| Puerto de entrada de gas | Conector VCR φ6 | |
| Potencia de plasma | Potencia de fuente | Fuente de corriente continua o potencia de radiofrecuencia |
| Modo de acoplamiento | Inductivamente acoplado o capacitivo de placa | |
| Potencia de salida | 500W — 1000W | |
| Potencia de polarización | 500v | |
| Bomba de vacío | Bomba previa | Bomba de vacío de paletas de 15L/S |
| Puerto de turbobomba | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Puerto de alivio | KF25 | |
| Velocidad de bombeo | Bomba de paletas: 15L/s, Turbobomba: 1200l/s o 1600l/s | |
| Grado de vacío | ≤5×10⁻⁵Pa | |
| Sensor de vacío | Medidor de vacío de ionización/resistencia / medidor de película | |
| Sistema | Suministro de energía eléctrica | AC 220V /380 50Hz |
| Potencia nominal | 5kW | |
| Dimensiones | 900mm X 820mm X 870mm | |
| Peso | 200kg |
Principio
La Deposición Química de Vapor Mejorada por Plasma (PECVD) utiliza plasma para estimular las reacciones químicas durante la deposición, lo que permite formar películas sólidas de alta calidad a bajas temperaturas. Al emplear plasma de alta energía, las máquinas PECVD mejoran las tasas de reacción y reducen las temperaturas de reacción. Esta técnica se usa ampliamente en iluminación LED, semiconductores de potencia y MEMS. Permite la deposición de SiO₂, SiNx, SiOxNy y otras películas de medios, así como la deposición de alta velocidad de películas gruesas de SiO sobre sustratos compuestos. El PECVD ofrece una excelente calidad de formación de película, minimiza los poros y reduce el agrietamiento, por lo que es adecuado para producir dispositivos de células solares de película delgada de silicio amorfo y microcristalino.
Ventajas
- Capacidad para depositar diversos materiales: El PECVD puede depositar una amplia gama de materiales, incluyendo carbono similar a diamante, compuestos de silicio y óxidos metálicos, lo que permite crear películas con propiedades adaptadas.
- Funcionamiento a baja temperatura: El PECVD opera a bajas temperaturas (generalmente 300-450°C), por lo que es adecuado para sustratos sensibles al calor.
- Películas delgadas de alta calidad: El PECVD produce películas delgadas con una uniformidad excepcional, control de espesor y resistencia al agrietamiento.
- Excelente adhesión: Las películas depositadas por PECVD presentan una fuerte adhesión al sustrato, garantizando durabilidad y fiabilidad.
- Recubrimiento conforme: El PECVD permite el recubrimiento de geometrías complejas, proporcionando una cobertura uniforme y protección.
- Altas tasas de deposición: El PECVD ofrece tasas de deposición rápidas, aumentando la productividad y reduciendo el tiempo de producción.
- Bajo mantenimiento: Los sistemas PECVD están diseñados para requerir poco mantenimiento, minimizando el tiempo de inactividad y maximizando el tiempo de operación.
- Fácil instalación: El equipo PECVD es relativamente fácil de instalar e integrar en líneas de producción existentes.
- Diseño rigido: Los sistemas PECVD están construidos con diseños robustos, garantizando estabilidad y un rendimiento duradero.
- Vida útil prolongada: Los sistemas PECVD están diseñados para durar, proporcionando una solución rentable para necesidades de deposición de películas delgadas a largo plazo.
Advertencias
¡La seguridad del operador es el tema más importante! Por favor, opere el equipo con precauciones. Trabajar con gases inflamables, explosivos o tóxicos es muy peligroso, los operadores deben tomar todas las precauciones necesarias antes de poner en marcha el equipo. Trabajar con presión positiva dentro de los reactores o cámaras es peligroso, el operador debe respetar estrictamente los procedimientos de seguridad. También se debe tener precaución adicional cuando se opera con materiales que reaccionan con el aire, especialmente bajo vacío. Una fuga puede introducir aire en el aparato y provocar una reacción violenta.
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FAQ
¿Qué Es El Método PECVD?
¿Qué Es Mpcvd?
¿Para Qué Se Utiliza PECVD?
¿Qué Es La Máquina Mpcvd?
¿Cuáles Son Las Ventajas De PECVD?
¿Cuáles Son Las Ventajas De Mpcvd?
¿Cuál Es La Diferencia Entre ALD Y PECVD?
¿Los Diamantes CVD Son Reales O Falsos?
¿Cuál Es La Diferencia Entre PECVD Y Pulverización Catódica?
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