El CVD (depósito químico en fase vapor) y el ALD (depósito de capas atómicas) son técnicas de deposición de películas finas utilizadas en la fabricación de dispositivos y revestimientos semiconductores. El CVD consiste en la reacción de precursores gaseosos para producir una película fina, mientras que el ALD es un tipo de CVD de precisión que permite una resolución del grosor de la capa atómica y una excelente uniformidad.
CVD (Deposición química en fase vapor):
El CVD es un proceso en el que precursores gaseosos reaccionan para formar una película fina sobre un sustrato. Esta técnica es versátil, capaz de depositar una amplia gama de materiales, incluidos metales, semiconductores y cerámicas. Los precursores se introducen en una cámara de deposición donde sufren reacciones químicas que depositan el material deseado sobre el sustrato. El CVD suele ser preferido por su capacidad para depositar películas gruesas a altas velocidades de deposición y su amplia gama de precursores disponibles.ALD (deposición de capas atómicas):
El ALD, por su parte, es una variante más precisa del CVD. Utiliza un mecanismo de reacción autolimitante en el que las capas atómicas se forman secuencialmente. Este proceso implica el uso de dos materiales precursores que nunca están presentes simultáneamente en la cámara de reacción. En su lugar, se depositan de forma secuencial, capa por capa. Este método permite un control excepcional de la composición, el grosor y la conformación de la película, por lo que resulta ideal para depositar películas muy finas (10-50 nm) y en estructuras de alta relación de aspecto. El ALD destaca especialmente por su capacidad para crear capas sin agujeros y su excelente uniformidad en geometrías complejas y superficies curvas.
Comparación y distinción:
