El sputtering de silicio es un proceso utilizado para depositar una fina película de silicio sobre un sustrato, como una oblea de silicio. Este método se denomina deposición por pulverización catódica, que es un tipo de deposición física en fase vapor (PVD).
7 pasos para entender el proceso de sputtering de silicio
1. Configuración de la cámara de vacío
El proceso de sputtering comienza en una cámara de vacío. El sustrato, normalmente una oblea de silicio, se coloca dentro de esta cámara.
2. Colocación del cátodo para sputtering
El cátodo para sputtering, hecho de silicio, también se coloca en la cámara. Este cátodo está unido al cátodo, mientras que el sustrato está conectado al ánodo.
3. Introducción del gas inerte
Se introduce un gas inerte, normalmente argón, en la cámara. Este gas sirve como medio para transferir el material pulverizado desde el blanco al sustrato.
4. Formación de plasma
Se aplica una carga eléctrica negativa al material objetivo, lo que provoca la formación de un plasma en la cámara. Este plasma se crea bombardeando el blanco con partículas de alta energía.
5. Pulverización catódica de átomos de silicio
Las partículas de alta energía, normalmente iones de argón, colisionan con los átomos del material objetivo, provocando su pulverización catódica.
6. 6. Deposición de la película de silicio
Los átomos de silicio pulverizados son transportados por el gas inerte a través de la cámara de vacío y depositados sobre el sustrato.
7. Formación de una película delgada
El proceso de deposición continúa hasta que se forma una película delgada de silicio del grosor deseado sobre el sustrato. La película de silicio resultante puede tener diversas propiedades, como reflectividad, resistividad eléctrica o iónica, u otras características específicas, en función de los parámetros y condiciones del proceso.
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