El proceso PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) es una técnica utilizada para depositar películas finas de un estado gaseoso a un estado sólido sobre un sustrato. Este proceso implica el uso de plasma para activar el gas o vapor fuente, lo que permite la deposición de recubrimientos a temperaturas más bajas en comparación con los procesos CVD convencionales. Esto lo hace adecuado para una gama más amplia de sustratos, incluidos materiales de bajo punto de fusión e incluso plásticos en algunos casos.
El proceso PECVD comienza con la introducción de una mezcla de gases precursores en un reactor. A continuación, se crea un plasma utilizando energía de RF a 13,56 MHz, que enciende y mantiene la descarga luminiscente entre dos electrodos paralelos. Este plasma es responsable de la creación de especies reactivas y energéticas a través de colisiones.
Estas especies reactivas se difunden a través de la vaina y se adsorben en la superficie del sustrato, donde interactúan y forman una capa de material. La energía del plasma, en lugar de únicamente la energía térmica, impulsa las reacciones entre las especies excitadas y el sustrato, lo que permite la deposición de películas finas a temperaturas más bajas sin dejar de conseguir las propiedades deseadas de la película.
En resumen, el proceso PECVD es una técnica de deposición de películas finas al vacío a baja temperatura que utiliza plasma para activar gases fuente y depositar recubrimientos sobre una amplia gama de sustratos. Este método es especialmente útil en la industria de los semiconductores, donde permite depositar revestimientos sobre superficies que no pueden soportar las temperaturas de los procesos CVD más convencionales.
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