El proceso de deposición química en fase vapor por plasma de alta densidad (HDPCVD) es una sofisticada técnica utilizada en la fabricación de semiconductores.
Permite depositar películas finas a temperaturas más bajas con mayor calidad y densidad en comparación con los métodos convencionales de deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD).
Este proceso es especialmente eficaz para rellenar huecos dieléctricos microscópicos, como los que se encuentran en el aislamiento de zanjas poco profundas (STI) y en las capas intermedias dieléctricas de las tecnologías de semiconductores avanzadas.
¿Qué es el proceso de deposición química en fase vapor por plasma de alta densidad? Explicación de los 5 pasos clave
1. 1. Preparación y configuración
El proceso comienza con la preparación de un sustrato semiconductor y su colocación en una cámara de proceso especializada.
2. 2. Generación de plasma de alta densidad
Se introduce oxígeno y un gas fuente de silicio en la cámara para generar un plasma de alta densidad.
Este plasma se forma utilizando una fuente de plasma de acoplamiento inductivo, que es más eficiente que el plasma de acoplamiento capacitivo utilizado en PECVD.
3. 3. Deposición y grabado simultáneos
El aspecto único del HDPCVD es su capacidad para realizar deposición y grabado simultáneos dentro de la misma cámara.
Esto se consigue controlando el flujo de iones y la energía de forma independiente, lo que ayuda a rellenar huecos de alta relación de aspecto sin formar vacíos o pinch-offs.
4. Control de la temperatura
El sustrato se calienta entre 550 y 700 grados Celsius durante el proceso, lo que garantiza unas condiciones óptimas para la deposición y el grabado de la película.
5. Inyección de gas
Para facilitar los procesos de deposición y grabado, se inyectan cuidadosamente en la cámara diversos gases, como oxígeno, gases fuente de silicio (como silano o disilano) y gases de grabado (como fluoruro de silicio).
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