La ventaja de la deposición química en fase vapor a baja presión (LPCVD) sobre la deposición química en fase vapor a presión atmosférica (APCVD) radica principalmente en su capacidad para funcionar a temperaturas más bajas y proporcionar tasas de deposición más uniformes.
Temperaturas de funcionamiento más bajas:
El LPCVD puede funcionar a temperaturas más bajas que el CVD tradicional o el APCVD. Esto es especialmente beneficioso cuando se trabaja con materiales que tienen puntos de fusión más bajos, como el aluminio, que puede depositarse sin riesgo de fundir o dañar las capas depositadas previamente. La capacidad de trabajar a temperaturas más bajas también reduce el estrés térmico sobre el sustrato, lo que puede mejorar el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo.Velocidades de deposición más uniformes:
El LPCVD utiliza una presión reducida para facilitar una tasa de deposición más uniforme en todo el sustrato. La menor presión en la cámara de deposición, que se consigue utilizando una bomba de vacío, reduce el recorrido libre medio de las moléculas de gas, lo que a su vez reduce las reacciones en fase gaseosa. El resultado es un proceso de deposición más controlado y uniforme, que mejora la calidad y uniformidad de la película. Por el contrario, el APCVD, que funciona a presión atmosférica, puede sufrir de falta de uniformidad debido a un flujo de gas más rápido y a la presencia de polvo o partículas que pueden afectar al proceso de deposición.
Consideraciones adicionales:
