En lo que respecta a la deposición química en fase vapor (CVD), dos métodos habituales son el LPCVD y el PECVD.
Estos métodos presentan diferencias significativas que afectan a sus aplicaciones y a la calidad de las películas que producen.
5 diferencias clave entre LPCVD y PECVD
1. Temperatura de deposición
El LPCVD suele funcionar a temperaturas más elevadas, que oscilan entre 500 y 1100°C.
El PECVD, por su parte, funciona a temperaturas más bajas, entre 200 y 400°C.
La temperatura más baja de PECVD es ideal para aplicaciones en las que los ciclos térmicos o las limitaciones del material son un factor a tener en cuenta.
2. Calidad de la película
Las películas LPCVD suelen ser de mayor calidad que las películas PECVD.
Las películas LPCVD tienen una vida útil más larga y mayores velocidades de deposición.
Casi no contienen hidrógeno y son más resistentes a los agujeros de alfiler.
Las películas PECVD son de menor calidad debido a las bajas temperaturas de deposición y al mayor contenido de hidrógeno, que puede causar tensiones y afectar al rendimiento del dispositivo.
3. Tipos de película
El LPCVD utiliza principalmente películas basadas en silicio.
Suele depositar películas de nitruro de silicio, que se suelen utilizar como estresantes y topes de grabado.
El PECVD puede producir tanto películas de silicio como de tungsteno.
El PECVD es conocido por producir películas de óxido de silicio.
4. Proceso
El LPCVD utiliza un reactor tubular de pared caliente para suministrar energía a los reactivos.
El PECVD utiliza plasma para dar energía a los reactivos.
El plasma en PECVD permite un proceso de deposición más controlado y a menor temperatura.
5. Aplicaciones
El LPCVD se utiliza habitualmente para la deposición epitaxial de silicio.
Sin embargo, su capacidad es limitada en comparación con el PECVD.
El PECVD es más versátil y puede utilizarse para una amplia gama de aplicaciones, como la deposición de películas finas, capas de barrera, pasivación y capas aislantes.
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