La principal diferencia entre el plasma RF (radiofrecuencia) y el plasma DC (corriente continua) radica en sus características operativas y en los tipos de materiales que pueden procesar eficazmente. El plasma RF opera a presiones más bajas y puede procesar tanto materiales conductores como aislantes, mientras que el plasma DC requiere presiones más altas y se utiliza principalmente con materiales conductores.
Presión operativa:
El plasma RF puede mantener un plasma gaseoso a presiones de cámara significativamente más bajas, normalmente inferiores a 15 mTorr. Esta presión más baja reduce el número de colisiones entre las partículas de plasma cargadas y el material objetivo, proporcionando una vía más directa al objetivo de pulverización catódica. Por el contrario, el plasma de corriente continua requiere una presión más alta, de unos 100 mTorr, lo que puede provocar colisiones más frecuentes y una deposición de material potencialmente menos eficiente.Manipulación de los materiales:
Los sistemas de RF son versátiles, ya que pueden trabajar tanto con materiales conductores como aislantes. Esto se debe a que el campo eléctrico oscilante de la RF evita la acumulación de carga en el blanco, un problema común en los sistemas de CC cuando se utilizan con materiales aislantes. En el sputtering de corriente continua, la acumulación de carga puede provocar la formación de arcos, lo que es perjudicial para el proceso. Por lo tanto, se prefiere el sputtering de RF cuando se trabaja con materiales no conductores.
Ventajas operativas y de mantenimiento:
Los sistemas de RF, especialmente los que no utilizan electrodos, como el recubrimiento por plasma ECR (resonancia de ciclotrón electrónico), ofrecen largos periodos de funcionamiento sin necesidad de interrupciones por mantenimiento. Esto se debe a que no es necesario sustituir los electrodos, a diferencia de los sistemas que utilizan corriente continua. El uso de sistemas de radiofrecuencia o microondas (que funcionan a 13,56 MHz y 2,45 GHz, respectivamente) se ve favorecido por su fiabilidad y la reducción del tiempo de inactividad.
Formación y estabilidad del plasma:
