El pulverizado con magnetrón es una técnica de deposición física en fase vapor (PVD) utilizada para depositar películas finas sobre sustratos. Implica el uso de un plasma confinado magnéticamente para ionizar un material objetivo, haciendo que se pulverice o vaporice y se deposite sobre el sustrato. Este proceso es conocido por su alta eficacia, su bajo nivel de daños y su capacidad para producir películas de alta calidad.
Proceso de sputtering:
El sputtering es un proceso físico en el que átomos o moléculas son expulsados de un material objetivo sólido debido al bombardeo de partículas de alta energía, normalmente iones. La energía cinética transferida de los iones incidentes a los átomos objetivo provoca una reacción en cadena de colisiones dentro de la superficie del objetivo. Cuando la energía transferida es suficiente para superar la energía de enlace de los átomos objetivo, éstos son expulsados de la superficie y pueden depositarse en un sustrato cercano.Principio del sputtering por magnetrón:
El sputtering por magnetrón se desarrolló en la década de 1970 e implica la adición de un campo magnético cerrado sobre la superficie del blanco. Este campo magnético mejora la eficacia de la generación de plasma al aumentar la probabilidad de colisiones entre electrones y átomos de argón cerca de la superficie del blanco. El campo magnético atrapa los electrones, lo que aumenta la producción y densidad del plasma, dando lugar a un proceso de sputtering más eficaz.
Componentes del sistema de sputtering por magnetrón:
El sistema suele constar de una cámara de vacío, un material objetivo, un soporte de sustrato, un magnetrón y una fuente de alimentación. La cámara de vacío es necesaria para crear un entorno de baja presión para que el plasma se forme y funcione eficazmente. El material objetivo es la fuente a partir de la cual se pulverizan los átomos, y el soporte de sustrato coloca el sustrato para recibir la película depositada. El magnetrón genera el campo magnético necesario para el proceso de pulverización catódica y la fuente de alimentación suministra la energía necesaria para ionizar el material objetivo y crear el plasma.
