El depósito químico en fase vapor potenciado por plasma (PECVD) es un proceso que consiste en depositar películas finas sobre un sustrato a bajas temperaturas utilizando plasma para potenciar las reacciones químicas.
Este proceso es esencial en la industria de los semiconductores para depositar materiales sobre superficies que no pueden soportar altas temperaturas.
4 Pasos clave del flujo de trabajo PECVD
1. 1. Configuración e introducción del gas
Un sistema PECVD consta de dos electrodos: uno conectado a tierra y otro energizado por RF.
Los gases reactivos se introducen entre estos electrodos.
2. 2. Generación de plasma
La energía de RF (normalmente a 13,56 MHz) genera un plasma entre los electrodos a través del acoplamiento capacitivo.
Esta ionización del gas crea especies reactivas.
3. 3. Reacciones químicas
Las especies reactivas sufren reacciones químicas, impulsadas por la energía del plasma.
Esto forma una película sobre la superficie del sustrato.
4. Crecimiento de la película
Las especies reactivas se difunden a través de la vaina hasta alcanzar el sustrato.
Se adsorben e interactúan, dando lugar al crecimiento de la película.
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