Las películas finas de semiconductores se crean mediante un proceso que consiste en depositar capas ultrafinas sobre un sustrato de oblea de silicio. Este proceso es crucial para el rendimiento de los dispositivos semiconductores, ya que incluso pequeñas imperfecciones pueden afectar significativamente a su funcionalidad. Los dos métodos principales de deposición de películas finas en la industria de los semiconductores son el depósito químico en fase vapor (CVD) y el depósito físico en fase vapor (PVD).
Deposición química en fase de vapor (CVD):
El CVD es la técnica más utilizada debido a su gran precisión. En este proceso, los precursores gaseosos se introducen en una cámara de reacción a alta temperatura donde sufren una reacción química, convirtiéndose en un revestimiento sólido sobre el sustrato. Este método permite crear capas muy finas y uniformes, esenciales para el rendimiento de los dispositivos semiconductores.Deposición física en fase vapor (PVD):
El PVD es otro método utilizado para crear revestimientos de gran pureza. Para ello se utilizan técnicas como la pulverización catódica, la evaporación térmica o la evaporación por haz electrónico. En la pulverización catódica, los átomos son expulsados de un material objetivo (normalmente un metal) debido al bombardeo de partículas energéticas, normalmente iones. Estos átomos expulsados se depositan sobre el sustrato, formando una fina película. La evaporación térmica consiste en calentar un material en el vacío hasta que se evapora y los átomos evaporados se depositan sobre el sustrato. La evaporación por haz electrónico utiliza un haz de electrones para calentar y evaporar el material.
Importancia de las películas finas en los semiconductores:
Las películas finas desempeñan un papel fundamental en la fabricación de dispositivos semiconductores. A medida que los dispositivos se hacen más pequeños y complejos, la calidad y la precisión de estas películas finas cobran cada vez más importancia. Las películas pueden estar hechas de diversos materiales, como metales conductores u óxidos metálicos no conductores, en función de los requisitos específicos de la aplicación del semiconductor.
Proceso de fabricación:
