El depósito químico en fase vapor potenciado por plasma (PECVD) es un proceso de depósito de películas finas en vacío a baja temperatura que utiliza plasma para potenciar las reacciones químicas, lo que permite el depósito de películas finas a temperaturas inferiores a las utilizadas en los procesos convencionales de depósito químico en fase vapor (CVD). Esto hace que el PECVD sea especialmente útil para recubrir sustratos sensibles al calor en la industria de los semiconductores.
Principio del proceso PECVD:
El proceso PECVD implica la introducción de gases precursores en una cámara de deposición. A diferencia del CVD convencional, que se basa en el calor para impulsar las reacciones químicas, el PECVD utiliza una descarga eléctrica para crear un plasma. Este plasma proporciona la energía necesaria para disociar los gases precursores, formando especies reactivas que depositan una fina película sobre el sustrato.Creación del plasma:
El plasma se crea aplicando una descarga de radiofrecuencia (RF) o de corriente continua (DC) entre dos electrodos dentro de la cámara. Esta descarga ioniza el gas de plasma, transformándolo en un estado de plasma. El plasma está formado por radicales reactivos, iones, átomos neutros y moléculas, que se forman mediante colisiones en la fase gaseosa. Este proceso permite mantener el sustrato a temperaturas relativamente bajas, normalmente entre 200-500°C.
Condiciones operativas:
Los sistemas PECVD funcionan a bajas presiones, normalmente entre 0,1 y 10 Torr. Esta baja presión minimiza la dispersión y favorece la deposición uniforme de la película. La baja temperatura de funcionamiento no sólo minimiza el daño al sustrato, sino que también amplía la gama de materiales que pueden depositarse.Componentes de los sistemas PECVD:
