El depósito químico en fase vapor a baja presión (LPCVD) es una técnica utilizada en la industria electrónica para depositar capas finas de materiales sobre un sustrato utilizando gases reactivos a bajas presiones.
5 materiales clave que debe conocer
1. Polisilicio
El polisilicio es un material utilizado habitualmente en los procesos de LPCVD.
Se forma por la reacción de gases como el silano (SiH4) o el diclorosilano (SiH2Cl2) a temperaturas que suelen oscilar entre 600°C y 650°C.
La deposición de polisilicio es crucial en la fabricación de dispositivos semiconductores, especialmente en la formación de electrodos de puerta e interconexiones.
2. Nitruro de silicio
El nitruro de silicio es otro material que se deposita con frecuencia mediante LPCVD.
Es conocido por sus excelentes propiedades de barrera contra la humedad y otros contaminantes, lo que lo hace ideal para su uso en capas de pasivación y como aislante en condensadores.
El proceso de deposición suele consistir en la reacción de gases como el diclorosilano (SiH2Cl2) y el amoníaco (NH3) a temperaturas de entre 700 °C y 800 °C. La película resultante es densa y tiene una alta resistencia a la corrosión.
La película resultante es densa y tiene una buena estabilidad térmica y química.
3. Óxido de silicio
El óxido de silicio se utiliza a menudo en LPCVD para aplicaciones como dieléctricos de puerta y dieléctricos entre capas.
Se forma por la reacción de gases como el silano (SiH4) y el oxígeno (O2) o utilizando ortosilicato de tetraetilo (TEOS) y ozono (O3) a temperaturas entre 400°C y 500°C.
La capa de óxido de silicio proporciona un buen aislamiento eléctrico y puede integrarse fácilmente en diversos procesos de fabricación de semiconductores.
4. Uniformidad y calidad
Los procesos LPCVD se ven favorecidos por su capacidad de producir películas uniformes y de alta calidad con una buena reproducibilidad.
La baja presión utilizada en estos procesos minimiza las reacciones no deseadas de la fase de vapor, mejorando la uniformidad y la calidad de las películas depositadas.
Además, el control preciso de la temperatura en LPCVD garantiza una excelente uniformidad dentro de la oblea, de oblea a oblea y de ejecución a ejecución, que son fundamentales para el rendimiento y la fiabilidad de los dispositivos semiconductores.
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