Las partes de la deposición química de vapor incluyen:
1. Sistema de suministro de gas: Se encarga de suministrar los gases precursores a la cámara del reactor. Los precursores utilizados en CVD deben ser lo suficientemente volátiles y estables como para ser transportados al reactor.
2. Cámara del reactor: Aquí es donde tiene lugar el proceso de CVD. Está diseñada para proporcionar las condiciones necesarias para la deposición de películas finas o recubrimientos. La cámara puede incluir elementos como resistencias o fuentes de plasma para facilitar las reacciones deseadas.
3. 3. Fuente de energía: Se utiliza para proporcionar la energía necesaria para que se produzcan las reacciones químicas. Puede ser en forma de calor, plasma u otras fuentes de energía dependiendo del proceso CVD específico.
4. 4. Sistema de vacío: Un sistema de vacío se utiliza para crear y mantener las condiciones de presión deseadas dentro de la cámara del reactor. Esto es importante para controlar el flujo de gas y garantizar la calidad de las películas depositadas.
5. 5. Sistema de escape: Este sistema se encarga de eliminar los subproductos y los gases sin reaccionar de la cámara del reactor. Ayuda a mantener un ambiente limpio y controlado dentro de la cámara.
Otros componentes que pueden estar presentes en un sistema CVD son un sistema de carga/descarga de sustratos, un sistema de control automático del proceso para supervisar y controlar los parámetros del proceso y un sistema de tratamiento de los gases de escape para tratar los gases residuales generados durante el proceso de deposición.
En general, los distintos componentes de un sistema CVD trabajan conjuntamente para permitir el transporte de gases precursores, la deposición de películas finas o recubrimientos sobre un sustrato y la eliminación de subproductos y gases residuales.
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