En PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), se utilizan varios gases dependiendo de la aplicación específica y la composición de la película deseada. Algunos de los gases más utilizados son
1. Silano (SiH4): El silano es un gas precursor que se utiliza a menudo en los procesos de PECVD para depositar películas basadas en silicio, como el nitruro de silicio y el óxido de silicio. Se mezcla con otros gases para controlar las propiedades de la película.
2. Amoníaco (NH3): El amoníaco es otro gas precursor utilizado en los procesos de PECVD. Se suele utilizar en combinación con silano para depositar películas de nitruro de silicio. El amoníaco ayuda a controlar el contenido de nitrógeno en la película.
3. Argón (Ar): El argón es un gas inerte que se utiliza a menudo como gas portador o gas diluyente en los procesos de PECVD. Se mezcla con gases precursores para controlar la reacción y garantizar la deposición uniforme de la película.
4. Nitrógeno (N2): El nitrógeno es otro gas inerte que puede utilizarse en los procesos de PECVD. Se suele utilizar como gas portador o gas diluyente para controlar la reacción y evitar reacciones no deseadas en fase gaseosa.
5. Metano (CH4), etileno (C2H4) y acetileno (C2H2): Estos gases hidrocarburos se utilizan en los procesos PECVD para el crecimiento de nanotubos de carbono (CNT). Son disociados por el plasma para generar productos de carbono amorfo. Para evitar la formación de productos amorfos, estos gases suelen diluirse con argón, hidrógeno o amoníaco.
Es importante señalar que las combinaciones específicas de gases y los parámetros del proceso pueden variar en función de las propiedades deseadas de la película, el material del sustrato y la configuración del equipo. Los gases mencionados anteriormente son sólo algunos ejemplos utilizados habitualmente en los procesos de PECVD.
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