En lo que respecta al depósito químico en fase vapor (CVD), existen dos tipos principales: CVD de pared caliente y CVD de pared fría.
Explicación de 4 diferencias clave
1. Método de calentamiento y distribución de la temperatura
La principal diferencia entre el CVD de pared caliente y el CVD de pared fría es el método de calentamiento.
En el CVD de pared caliente, toda la cámara, incluidas las paredes y el sustrato, se calienta para alcanzar una temperatura uniforme.
Por otro lado, el CVD de pared fría sólo calienta el sustrato, manteniendo las paredes de la cámara a temperatura ambiente.
2. Impacto en la uniformidad de la deposición
Esta diferencia en los métodos de calentamiento afecta a la uniformidad de la deposición.
El CVD de pared caliente, con su calentamiento uniforme, puede conducir a una distribución más consistente de la temperatura a través del sustrato, mejorando potencialmente la uniformidad de la deposición.
Sin embargo, el riesgo de contaminación por depósitos en las paredes del reactor es mayor.
En el CVD de pared fría, el calentamiento localizado del sustrato permite un enfriamiento más rápido, lo que resulta beneficioso en procesos en los que el sobrecalentamiento puede ser problemático.
3. Eficiencia y coste del proceso
El CVD de pared caliente facilita el procesamiento por lotes, por lo que es relativamente sencillo de implementar.
Sin embargo, el inconveniente es que la deposición también se produce en las paredes del reactor, lo que puede dar lugar a la formación de polvos y escamas que pueden caer sobre el sustrato, afectando potencialmente a la calidad de la deposición.
El CVD de pared fría, con su diseño de reactor más sencillo, tiempos de deposición más cortos y calentamiento y enfriamiento rápidos del sustrato, ofrece costes reducidos asociados al mantenimiento de las condiciones del proceso.
4. Idoneidad para diferentes aplicaciones
La elección entre CVD de pared caliente y de pared fría depende de los requisitos específicos de la aplicación.
El CVD de pared caliente es adecuado para aplicaciones que requieren una distribución constante de la temperatura y una deposición uniforme.
El CVD de pared fría es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren un alto rendimiento y un procesamiento rápido, como la producción de materiales de grafeno.
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