La deposición de polisilicio por LPCVD es un proceso crítico en la fabricación de semiconductores.
Comprender el rango de temperatura es esencial para conseguir las propiedades deseadas de la película.
5 puntos clave que hay que saber sobre la temperatura del polisilicio LPCVD
1. Rango de temperatura estándar
El rango de temperatura típico para la deposición de polisilicio LPCVD está entre 600 y 650 grados Celsius.
2. Variabilidad de la temperatura
Los procesos LPCVD pueden realizarse a temperaturas tan bajas como 425 grados Celsius o tan altas como 900 grados Celsius, dependiendo de la aplicación específica y de las propiedades deseadas de la película.
3. Velocidad de crecimiento
La velocidad de crecimiento del polisilicio durante el LPCVD oscila entre 10 y 20 nm por minuto a temperaturas entre 600 y 650 grados Celsius y presiones entre 25 y 150 Pa.
4. Influencia de los gases
El uso de diferentes gases, como la fosfina, la arsina o el diborano, puede afectar a la velocidad de crecimiento y a las propiedades de la película de polisilicio depositada.
5. Características de la película
Las películas de polisilicio LPCVD tienen un mayor contenido de hidrógeno y pueden contener agujeros de alfiler en comparación con las películas depositadas mediante otros métodos como el PECVD.
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