El proceso de capa fina para semiconductores implica la deposición de capas de materiales conductores, semiconductores y aislantes sobre un sustrato, normalmente de silicio o carburo de silicio. Este proceso es crucial para la fabricación de circuitos integrados y dispositivos semiconductores discretos. Las capas se modelan cuidadosamente mediante tecnologías litográficas para crear simultáneamente multitud de dispositivos activos y pasivos.
Métodos de deposición:
Los dos métodos principales de deposición de películas finas son la deposición química en fase vapor (CVD) y la deposición física en fase vapor (PVD). En el CVD, los precursores gaseosos reaccionan y se depositan sobre el sustrato, formando una película fina. La PVD, por su parte, consiste en procesos físicos de vaporización de un material y su condensación en el sustrato. Dentro de la PVD, se utilizan técnicas como la evaporación por haz de electrones, en la que se emplea un haz de electrones de alta energía para calentar un material fuente, haciendo que se evapore y deposite sobre el sustrato.Características de las películas finas:
Las películas finas suelen tener un grosor inferior a 1.000 nanómetros y son cruciales para determinar la aplicación y el rendimiento del semiconductor. Las películas pueden doparse con impurezas como fósforo o boro para alterar sus propiedades eléctricas, transformándolas de aislantes a semiconductores.
Aplicaciones e innovaciones:
La tecnología de capa fina no sólo se limita a los semiconductores tradicionales, sino que también se extiende a la creación de capas de compuestos poliméricos para aplicaciones como células solares flexibles y diodos orgánicos emisores de luz (OLED), que se utilizan en paneles de visualización de diversos dispositivos electrónicos.
Visión general del proceso:
