La temperatura para depositar SiN (nitruro de silicio) LPCVD suele situarse entre 700 y 800°C. Este intervalo se elige para garantizar la formación de una capa de nitruro de silicio densa, amorfa y químicamente estable, que es crucial para diversas aplicaciones de semiconductores.
Explicación:
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Rango de temperatura: La deposición de nitruro de silicio mediante LPCVD (deposición química en fase vapor a baja presión) se realiza a temperaturas comprendidas entre 700 y 800°C. Este rango de temperaturas es crítico, ya que permite la reacción adecuada entre el diclorosilano (SiCl2H2) y el amoníaco (NH3) para formar nitruro de silicio (Si3N4) y subproductos como el ácido clorhídrico (HCl) y el hidrógeno (H2).
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Química de la reacción: La reacción química que interviene en el proceso de deposición es la siguiente:
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[\text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl} + 2\text{H}_2
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]Esta reacción requiere temperaturas elevadas para desarrollarse eficazmente, asegurando la deposición de una capa de nitruro de silicio de alta calidad.
Calidad de la película depositada
: A estas temperaturas, la capa de nitruro de silicio formada es amorfa, densa y presenta una buena estabilidad química y térmica. Estas propiedades son esenciales para su uso en la fabricación de semiconductores, donde sirve como máscara para la oxidación selectiva, máscara dura para procesos de grabado y dieléctrico en condensadores.
