El sputtering por magnetrón difiere de otros métodos de sputtering principalmente por el uso de un campo magnético para mejorar el proceso de sputtering, lo que da lugar a mayores velocidades de deposición y a una mejor calidad de la película. Este método implica el confinamiento de electrones cerca de la superficie del blanco, lo que aumenta la densidad de iones y, por tanto, la eficacia del proceso de sputtering.
Mayor eficacia y velocidad de deposición:
El sputtering por magnetrón utiliza tanto un campo eléctrico como un campo magnético para confinar las partículas cerca de la superficie del blanco. Este confinamiento aumenta la densidad de iones, lo que a su vez incrementa la velocidad a la que los átomos son expulsados del material objetivo. La fórmula de la velocidad de sputtering en el sputtering por magnetrón de corriente continua destaca los factores que influyen en esta velocidad, como la densidad de flujo de iones, las propiedades del material objetivo y la configuración del campo magnético. La presencia de un campo magnético permite el funcionamiento del proceso de sputtering a presiones y tensiones más bajas en comparación con los métodos de sputtering convencionales, que normalmente requieren presiones y tensiones más altas.Tipos de técnicas de sputtering por magnetrón:
Existen diversas variantes de pulverización catódica por magnetrón, como la pulverización catódica por corriente continua (CC), la pulverización catódica por CC pulsada y la pulverización catódica por radiofrecuencia (RF). Cada una de estas técnicas tiene características y ventajas únicas. Por ejemplo, el sputtering por magnetrón de corriente continua utiliza una fuente de alimentación de corriente continua para generar un plasma, que luego se utiliza para pulverizar el material objetivo. El campo magnético de esta configuración ayuda a aumentar la velocidad de pulverización catódica y garantiza una deposición más uniforme del material pulverizado sobre el sustrato.
Confinamiento de electrones y plasma:
