El depósito químico en fase vapor a baja presión (LPCVD) es una técnica utilizada para depositar películas finas sobre sustratos.
La velocidad de deposición en LPCVD depende de varios factores.
Estos factores incluyen la temperatura, la presión, los caudales de gas y las reacciones químicas específicas implicadas.
¿Cuál es la velocidad de deposición en Lpcvd? (Explicación de 4 factores clave)
1. Temperatura
La temperatura desempeña un papel crucial en la velocidad de deposición del LPCVD.
Los sistemas LPCVD pueden controlarse con precisión, y a menudo funcionan entre 350 y 400°C.
La velocidad de deposición depende en gran medida de la velocidad de las reacciones superficiales, que aumentan con la temperatura.
2. Presión
El LPCVD funciona a presiones subatmosféricas, que suelen oscilar entre 0,1 y 10 Torr.
Esta baja presión mejora la difusión del gas y reduce las reacciones no deseadas en fase gaseosa.
Como resultado, mejora la uniformidad de la película y la velocidad de deposición.
3. Caudales de gas
La velocidad de deposición en LPCVD puede ajustarse modificando la proporción de gases precursores.Por ejemplo, el aumento de la relación DCS/NH3 disminuye la velocidad de deposición.Esto indica que las reacciones químicas entre estos gases influyen significativamente en la velocidad de crecimiento de la película. 4. Química específica de los gases precursores La química específica de los gases precursores también desempeña un papel fundamental.
