Cuando se trata de la deposición de nitruro de silicio (SiN), dos métodos comunes son LPCVD (deposición química en fase vapor a baja presión) y PECVD (deposición química en fase vapor mejorada por plasma).
4 diferencias clave entre LPCVD SiN y PECVD SiN
1. 1. Temperatura de deposición
- El SiN LPCVD se deposita a una temperatura más alta que el SiN PECVD.
- LPCVD suele requerir temperaturas superiores a 800°C.
- PECVD puede realizarse a temperaturas más bajas, a menudo por debajo de 400°C.
2. Requisitos del sustrato
- LPCVD requiere un sustrato de silicio.
- PECVD puede utilizar un sustrato basado en tungsteno.
- LPCVD depende de la presencia de un sustrato de silicio para el proceso de deposición.
- PECVD no necesita necesariamente un sustrato de silicio.
3. Características de la película
- El SiN por LPCVD proporciona una película con una velocidad de grabado inferior a la del SiN por PECVD.
- Las películas LPCVD tienen un mayor contenido de hidrógeno y pueden contener agujeros de alfiler, pero tienen una vida útil más larga.
- Las películas PECVD tienen un menor contenido en hidrógeno y se suelen utilizar para capas de pasivación debido a sus características estequiométricas, de baja presión o de súper baja tensión.
4. Velocidad de deposición
- El LPCVD tiene una velocidad de deposición menor que el PECVD.
- El PECVD ofrece una mayor tasa de deposición y más flexibilidad en términos de tasas de crecimiento.
En resumen, el SiN por LPCVD se utiliza normalmente cuando no se desea una temperatura de deposición más alta y se desea una velocidad de grabado más baja. Requiere un sustrato de silicio y su velocidad de deposición es menor. Por otro lado, el SiN PECVD se utiliza cuando es necesaria una temperatura de deposición baja y se desea una velocidad de crecimiento más rápida. Puede depositarse sobre diversos sustratos y ofrece buenas características de capa de pasivación.
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