El LPCVD, o depósito químico en fase vapor a baja presión, es un proceso térmico utilizado para depositar películas finas a partir de precursores en fase gaseosa a presiones subatmosféricas. Este método se caracteriza por su control preciso de la temperatura, que da lugar a una gran uniformidad de las películas depositadas en toda la oblea, de oblea a oblea y en diferentes series. El LPCVD está especialmente indicado en la industria de semiconductores por su capacidad de producir películas uniformes de alta calidad sin necesidad de gases portadores, lo que reduce el riesgo de contaminación por partículas.
Detalles del proceso:
El proceso LPCVD funciona a presiones que suelen rondar los 133 Pa o menos. Este entorno de baja presión mejora el coeficiente de difusión y la trayectoria libre media de los gases dentro de la cámara de reacción, lo que mejora la uniformidad y la resistividad de la película. La baja presión también facilita una mayor velocidad de transporte de los gases, lo que permite eliminar rápidamente del sustrato las impurezas y los subproductos de la reacción, mientras que los gases de reacción llegan rápidamente a la superficie del sustrato para su deposición. Este mecanismo ayuda a suprimir el autodoping y aumenta la eficacia global de la producción.Equipos y aplicaciones:
Los equipos de LPCVD están diseñados para introducir gases reactivos entre electrodos paralelos, a menudo utilizando ozono para catalizar las reacciones en la superficie del sustrato. El proceso comienza con la formación de islas en el sustrato de silicio, que luego se fusionan para formar una película continua. El grosor de la película depende en gran medida de la temperatura, ya que a temperaturas más altas se obtienen películas más gruesas. El LPCVD se utiliza habitualmente en la producción de resistencias, condensadores dieléctricos, MEMS y revestimientos antirreflectantes.
Comparación con otras técnicas de deposición:
En comparación con el depósito químico en fase vapor a presión atmosférica (APCVD), el LPCVD ofrece una mejor calidad y uniformidad de la película, pero a una velocidad de depósito potencialmente más lenta. La deposición química en fase vapor mejorada por plasma (PECVD), otra alternativa, utiliza plasma para aumentar la velocidad de reacción química, lo que puede ser ventajoso para depositar películas a temperaturas más bajas, pero puede introducir complejidades adicionales en términos de estabilidad del plasma y propiedades de la película.
