La deposición química en fase vapor (CVD) es un proceso utilizado para producir materiales sólidos de alta calidad y alto rendimiento, que suele implicar la reacción de precursores gaseosos en condiciones de vacío. El proceso se utiliza principalmente para depositar películas finas y revestimientos sobre diversos sustratos, como semiconductores, paneles solares y otros materiales.
El proceso comienza con la introducción de precursores volátiles en una cámara de reacción, que se mantiene en condiciones de vacío. Estos precursores se calientan a una temperatura de reacción específica, lo que hace que reaccionen o se descompongan, formando el material de revestimiento deseado. A continuación, este material se adhiere a la superficie del sustrato, formándose uniformemente con el tiempo.
Existen varios tipos de procesos CVD, como el CVD estándar, el depósito químico en fase vapor mejorado por plasma (PECVD) y el depósito químico en fase vapor por plasma acoplado inductivamente (ICPCVD). Cada uno de estos métodos tiene sus propias ventajas y aplicaciones, en función de los requisitos específicos del material depositado.
El CVD estándar es una técnica bien establecida para depositar una amplia variedad de películas con diferentes composiciones y espesores. La PECVD, por su parte, utiliza plasma para potenciar las reacciones químicas, lo que permite depositar capas de pasivación de alta calidad o máscaras de alta densidad. El ICPCVD utiliza una fuente de plasma de acoplamiento inductivo para conseguir plasmas de alta densidad, lo que permite la deposición de películas de alta calidad a temperaturas más bajas.
En resumen, la deposición química en fase vapor es un proceso versátil y muy utilizado para depositar películas finas y revestimientos de alta calidad sobre diversos sustratos. Controlando cuidadosamente las condiciones de reacción y los precursores, el CVD puede adaptarse para producir una amplia gama de materiales, incluidos metales, semiconductores y dieléctricos.
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