Un ejemplo de PVD (deposición física de vapor) es el uso de pulverización catódica para depositar una fina película de metal sobre un sustrato, mientras que un ejemplo de CVD (deposición química de vapor) es la deposición de una capa de silicio sobre una oblea semiconductora mediante CVD térmico.
Ejemplo de PVD: Sputtering
En el proceso de pulverización catódica, un material objetivo (el material que se va a depositar) es bombardeado con partículas de alta energía, normalmente iones, que hacen que los átomos del material objetivo sean expulsados y depositados sobre un sustrato. Este método es una forma de PVD porque la deposición se produce por medios físicos en lugar de una reacción química. El sputtering se utiliza mucho en la industria electrónica para depositar películas finas de metales como cobre, aluminio u oro sobre obleas semiconductoras. La ventaja del sputtering es que puede producir revestimientos muy uniformes y adhesivos, lo que lo hace ideal para aplicaciones que requieren un control preciso del grosor y las propiedades de la película.Ejemplo de CVD: CVD térmico para el depósito de silicio
El CVD térmico consiste en introducir un gas precursor del silicio, como el silano (SiH4), en una cámara de reacción donde se calienta a alta temperatura. A estas elevadas temperaturas, el gas precursor se descompone y los átomos de silicio se depositan sobre un sustrato calentado, normalmente una oblea semiconductora. Este proceso forma una fina capa de silicio, crucial para la fabricación de dispositivos electrónicos. La reacción química que se produce durante el CVD térmico es la responsable de la deposición de la capa de silicio, de ahí el nombre de Deposición Química en Vapor. Se prefiere el CVD por su capacidad para crear revestimientos de alta calidad, densos y conformados, que son esenciales para el rendimiento de los dispositivos semiconductores.
