Cuando se habla de técnicas de deposición de películas, a menudo vienen a la mente dos métodos: El depósito de capas atómicas (ALD) y el depósito químico en fase vapor (CVD).
Explicación de 5 diferencias clave
1. Proceso de deposición
En el CVD, todos los reactivos se introducen simultáneamente en la cámara de reacción para formar la película.
El ALD, por el contrario, utiliza dos materiales precursores que se depositan secuencialmente sobre la superficie del sustrato.
2. Deposición capa a capa
ALD es un método de deposición capa por capa.
Cada precursor se deposita en toda la superficie antes de que el siguiente precursor se deposite encima.
Esta deposición secuencial permite un control preciso del grosor, la densidad y la conformidad de la película.
3. Espesor de la película y aplicaciones
El ALD se utiliza habitualmente para películas finas con espesores comprendidos entre 10 y 50 nm y en estructuras de alta relación de aspecto.
Suele emplearse en la fabricación de microelectrónica, cabezales de grabación magnética, pilas de compuertas MOSFET, condensadores DRAM y memorias ferroeléctricas no volátiles.
El CVD se utiliza normalmente para películas monocapa y puede depositar películas más gruesas a velocidades de deposición mayores que el ALD.
Los métodos de CVD suelen implicar altas temperaturas para vaporizar los átomos, y la deposición suele ser isotrópica, recubriendo todas las superficies por igual.
4. Rango de temperatura
ALD se lleva a cabo en un rango de temperatura controlado.
El CVD normalmente implica temperaturas más altas para la vaporización de los átomos.
5. Precisión y velocidad de deposición
Aunque el ALD ofrece un control preciso y es adecuado para películas finas y estructuras complejas, requiere más supervisión y experiencia para su realización.
El CVD permite tasas de deposición más rápidas y una gama más amplia de precursores disponibles, ya que la descomposición es una vía válida.
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