El depósito químico en fase vapor (CVD) es el método utilizado para depositar películas finas aislantes. Este método consiste en introducir un gas o vapor en una cámara de procesamiento donde experimenta una reacción química que da lugar a la deposición de una fina capa de material sobre el sustrato. El sustrato suele calentarse para acelerar el proceso y mejorar la calidad de la fina capa formada. El CVD es muy preciso y controlable, por lo que resulta idóneo para crear películas finas con rasgos y características específicos.
En el contexto de la fabricación de dispositivos semiconductores, se emplean diversas técnicas de CVD, como el CVD mejorado por plasma (PECVD), el CVD por plasma de alta densidad (HDP-CVD) y el depósito de capas atómicas (ALD), para formar capas aislantes críticas. Estas capas son esenciales para aislar y proteger las estructuras eléctricas dentro de los dispositivos. La elección de la técnica de CVD depende de los requisitos específicos del material y de la estructura del dispositivo que se va a fabricar.
En general, el CVD es un método versátil y preciso para depositar capas finas aislantes, cruciales para la funcionalidad y el rendimiento de diversos dispositivos electrónicos y ópticos.
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