El proceso de deposición química en fase vapor (CVD) consiste en depositar películas finas sobre un sustrato mediante la reacción de gases precursores.
Este proceso es crucial en diversas aplicaciones, como la fabricación de semiconductores, el recubrimiento de materiales y la creación de nanomateriales.
Explicación de los 6 pasos
1. Introducción de gases precursores
El proceso comienza con la introducción de gases precursores en una cámara de reacción.
Estos gases suelen suministrarse a través de un sistema de gestión de gases y fluyen hacia un tubo de cuarzo calentado.
2. Reacción y deposición
A medida que los gases fluyen sobre el sustrato calentado, reaccionan y se descomponen, depositando una fina película sobre la superficie del sustrato.
Esta reacción se produce debido a las altas temperaturas y a la presión controlada dentro de la cámara.
3. Formación de la capa límite
Se forma una capa límite a medida que la velocidad del gas disminuye hasta cero en el sustrato, lo que facilita el proceso de deposición.
4. 4. Nucleación y crecimiento
Se forman grupos o núcleos de tamaño crítico y crecen hasta convertirse en cristales estables, influidos por diversos factores como la temperatura del sustrato, la geometría y la composición química.
5. Evaporación y control de precursores
Los precursores líquidos o sólidos se calientan hasta un estado gaseoso y se introducen en el reactor.
La velocidad de evaporación del gas se controla cuidadosamente para conseguir el espesor de película deseado.
6. Cinética y termodinámica
El proceso implica una compleja cinética y termodinámica de reacción, que requiere altas temperaturas y bajas presiones para una deposición eficaz.
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